【元件】 采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。
近年来，xEV得以快速普及，对于其配套的OBC等部件而言，功率半导体是不可或缺的存在，因此，市场对发热量少、开关速度快、耐压能力强的SiC SBD的需求日益高涨。其中，小型且可使用贴片机安装的表面贴装（SMD）封装产品，因其可以提高应用产品的生产效率而需求尤为旺盛。另一方面，由于施加高电压容易引发漏电起痕，因此需要确保更长爬电距离的器件。ROHM作为SiC领域的领航企业，一直致力于开发支持高电压应用的耐压能力和可安装性都出色的高性能SiC SBD。此次，通过采用ROHM原创的封装形状，开发出确保最小5.1mm的爬电距离、并具有优异绝缘性能的产品。
新产品去除了以往封装底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电）*2，因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封*3进行绝缘处理。
目前有650V耐压和1200V耐压两种产品，不仅适用于xEV中广为使用的400V系统，还适用于预计未来会扩大应用的更高电压的系统。另外，新产品的焊盘图案与TO-263封装的普通产品和以往产品通用，因此可以直接在现有电路板上替换。此外，车载设备用的“SCS2xxxNHR”还符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*4。
新产品已于2024年9月开始出售样品。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.（福冈县筑后工厂），后道工序的生产基地为ROHM Korea Corporation（韩国）。
未来，ROHM将继续开发高耐压SiC SBD，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。
＜产品阵容＞
☆：开发中
封装为ROHM封装。
＜应用示例＞
车载设备：车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等
工业设备：工业机器人用AC伺服、光伏逆变器、功率调节器、不间断电源装置（UPS）等
＜关于“EcoSiC™”品牌＞
EcoSiC™是采用了因性能优于硅（Si）而在功率元器件领域备受关注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。
EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
＜术语解说＞
*1) 爬电距离
沿着器件封装表面的两个导电体（引脚）之间测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。
*2 漏电起痕（沿面放电）
当向作为导体的引脚施加高电压时，绝缘物——也就是封装表面会发生放电的现象。在本来不应该导电的图案之间发生了放电，会导致器件介电击穿。随着封装的小型化，爬电距离变得更短，这种现象也就更容易发生。
*3) 树脂灌封
通过使用环氧树脂等树脂对器件本体以及器件与电路的电极连接部位进行密封，来实现电绝缘。树脂灌封还可以有效地对器件进行保护、防水、防尘、提高耐用性和耐候性。
*4) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”
AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件（晶体管、二极管等）的标准。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玄子转载自ROHM官网，原文标题为:采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【元件】ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管，确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD）。新产品去除了以往封装底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电），因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
ROHM’s New SiC Schottky Barrier Diodes for High Voltage xEV Systems: Featuring a Unique Package Design for Improved Insulation Resistance
ROHM has developed surface mount SiC Schottky barrier diodes (SBDs) that improve insulation resistance by increasing the creepage distance between terminals. They are designed for high voltage xEV systems, automotive applications and industrial equipment.
扬杰科技（YANGJIE）碳化硅产品选型指南
目录- 公司简介 命名规则及包装形态 SiC MOSFET SiC肖特基二极管 SiC SBD模块 SiC MOSFET模块 应用+产品推介 公司实验室平台 长期可II性试验测试参考表
型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2
A-012。无桥PFC Vin=200V，Iin=2.5A，BCM Rohm解决方案模拟器原理图信息
描述- 本资料提供了ROHM Solution Simulator的桥式PFC电路仿真信息，包括电路参数、组件选择、仿真波形和损耗计算模型。资料涵盖了输入电压、电流、输出电压、开关频率等关键参数，并提供了SiC MOSFET、SiC SBD、门驱动器等组件的选择和特性。此外，还展示了仿真波形和损耗计算结果，以帮助用户评估电路性能。
型号- SCT3160KL,SCS208AG,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCS206AG,SCT2450KE,SCS205KG,SCT2H12NZ,SCS220AG,SCS320AHG,SCT3040KL,SCS220KG,SCT3080KL,SCS315AHG,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCS308AHG,SCT3022AL,SCS306AHG,SCS304AHG,SCS310AHG,SCS215AG,SCT4026DE,SCS210AG,SCS302AHG,SCT3060AL,SCS212AG,SCT3080AL,SCT2080KE,SCT3022KL,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCS215KG,SCT2750NY,SCT4062KE,SCS210KG,SCS312AHG
【视频】PANJIT推出MPS结构设计650/1200V SiC SBD，具备低导通压降、出色开关性能及高可靠性，适用于高频高温高效电路
描述- PANJIT公司发布了一款650-1200V SiC SBD（碳化硅二极管），适用于高频高温高效电路。该二极管采用MPS结构设计，具有低导通压降和良好的阻断能力。资料中详细介绍了SiC二极管的技术优势、设计特点、应用领域和产品系列，并提供了与竞争对手产品的性能比较。
型号- PCDB0665G1,PCDB10120G1,PCDE1065G1,PCDD0665G1,PCDH20120CCG1,PCDP08120G1,PCDD05120G1,PCDP05120G1,PCDE0865G1,PCDE10120G1,PCDD10120G1,PCDP0665G1,PCDB0465G1,PCDE0465G1,PCDH40120CCG1,PCDB0865G1,PCDH30120CCG1,PCDP1065G1,PCDP1665G1,PCDP10120G1,PCDP0865G1,PCDP2065G1,PCDH4065CCG2,PCDH2065CCG1,PCDH3065CCG1,PCDH4065CCG1,PCDD08120G1,PCDD0865G1,PCDP0465G1,PCDD0465G1,PCDD1065G1,PCDE0665G1,PCDP20120G1,PCDB1065G1,PCDP15120G1,PCDE20120G1,PCDP1265G1,PCDB20120G1
填料SiC SBD TO-263AB（LPTL）
描述- 本资料详细描述了SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）的包装要求，包括包装规格、尺寸、卷带方向、累积节距公差、弯曲半径、卷带材料、失效率、卷盘尺寸、卷带规格、产品代码、数量、标记和包装方式。资料中未提及具体公司和品牌信息。
A-001。升压PFC Vin=200V，Iin=2.5A，BCM Rohm解决方案模拟器原理图信息
描述- 本资料提供了ROHM Solution Simulator的Boost PFC电路仿真信息，包括电路参数、组件选择、仿真波形和损耗计算模型。主要内容包括输入电压、电流、输出电压、开关频率、温度等参数的设定范围，以及SiC MOSFET、SiC SBD等组件的选择和特性。此外，还提供了仿真波形和损耗计算模型，用于分析电路性能和损耗情况。
型号- SCT3160KL,SCS208AG,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCS206AG,SCT2450KE,SCS205KG,SCT2H12NZ,SCS220AG,SCT3040KL,SCS320AHG,SCS220KG,SCT3080KL,SCS315AHG,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCS308AHG,SCS306AHG,SCS304AHG,SCS310AHG,SCS215AG,SCT4026DE,SCS210AG,SCT3060AL,SCS302AHG,SCS212AG,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCS215KG,SCT2750NY,SCT4062KE,SCS210KG,SCS312AHG
扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾，展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案
2024年7月8-10日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕，扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计，现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流，吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨，展会现场人流如织，使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。
ROHM（罗姆）"全SiC"功率模块选型指南（中文）
描述- SiC功率模块是节能环保的器件，与传统产品相比有多项改进，有效地利用了电源和资源，并且在维持或提高性能的同时降低了功耗。例如，集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块。此外，与传统模块不同，这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作，提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率。
型号- BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM300D12P4G101,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM450D12P4G102,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM600D12P4G103,BSM300D12P3E005,BSM250D17P2E004
C-013。DC-DC LLC全桥Vo=400V，Io=15A Rohm解决方案模拟器原理图信息
描述- 本资料介绍了ROHM公司提供的DC-DC LLC全桥转换器解决方案的模拟器原理图信息。内容包括可选择的器件、模拟波形、器件更换方法、损耗计算模型等。资料详细列出了不同型号的SiC MOSFET和SiC SBD器件的特性和产品编号，并提供了相应的应用电路示例。同时，资料也提醒用户在使用ROHM产品时应注意的事项，包括验证最新规格、适用范围、安全措施等。
型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCS208AG,SCT4013DE,SCT3030AL,SCS206AG,SCT2450KE,SCS205KG,SCT2H12NZ,SCS220AG,SCT3040KL,SCS320AHG,SCS220KG,SCT3080KL,SCS315AHG,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCS308AHG,SCS306AHG,SCS304AHG,SCS310AHG,SCS215AG,SCT4026DE,SCS210AG,SCT3060AL,SCS302AHG,SCS212AG,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCS215KG,SCT4062KE,SCS210KG,SCS312AHG
Bare Die SiC from ROHM Chosen by Apex Microtechnology for Newest Line of Power Modules, Saving Space and Increasing Performance
Apex Microtechnology is adopting ROHM’s SiC MOSFETs and SiC SBD for a new line of power modules. ROHM’s 1,200V S4101 SiC MOSFETs and 650V S6203 SiC SBD are supplied in bare die form, enabling Apex to save space and increase the performance and reliability of its modules.
SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理，加速国产化替代
SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷，并实现更高阻断电压和雪崩能力。
C-007。DC-DC降压转换器2相VO=250V，IO=40A Rohm解决方案模拟器原理图信息
描述- 本资料介绍了ROHM Solution Simulator的DC-DC降压转换器2相电路信息，包括输入电压、输出电压、输出电流等参数，以及电路中各个组件的详细信息，如SiC MOSFET、SiC SBD、门驱动器等。同时，提供了可选组件的产品编号和特性，以及电路的仿真波形和损耗计算模型。
型号- SCT3160KL,SCS208AG,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCS206AG,SCT2450KE,SCS205KG,SCT2H12NZ,SCS220AG,SCS320AHG,SCT3040KL,SCS220KG,SCT3080KL,SCS315AHG,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCS308AHG,SCS306AHG,SCS304AHG,SCS310AHG,SCS215AG,SCT4026DE,SCS210AG,SCS302AHG,SCT3060AL,SCS212AG,SCT3080AL,SCT2080KE,SCT3022KL,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCS215KG,SCT2750NY,SCT4062KE,SCS210KG,SCS312AHG
中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册
描述- 本资料主要讲解了以下内容：（1）SiC半导体的材料特性、优点；（2）SiC肖特基二极管特性；（3）SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告；（4）SiC的应用和优势示例应用优势。
型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A008120J,WSXAXXXXXX0,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS2A015120D,WS2A015120A,WS3A016120K,WS1A025170D,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS2A030120K,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A012065B,NSD10220B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A020065A,WS3A006065F,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A015120D,WS3A002065F,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS2A040120D,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS1A050065D,WS1A050065B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A002120J,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
电子商城
现货市场
服务
可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论