瑶芯SiC MOSFET荣获第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖

时间： 2024-11-15 来源：瑶芯微电子公众号

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2024年11月7日，国内集成电路行业最受瞩目的年度评选—“中国芯”优秀产品征集结果在珠海正式揭晓，瑶芯SiC MOSFET/AK1CK2M040WAM以技术创新性和优异的产品性能表现，在众多参评产品中脱颖而出，荣获2024年第十九届“中国芯”优秀技术创新产品奖。

作为国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业盛会之一，自2006年启动以来，“中国芯”优秀产品征集活动已连续举办19届，本届活动由中国电子信息产业发展研究院主办、中国半导体行业协会指导，以“新质引领芯启未来”为主题，旨在集中展示中国集成电路产业的优秀产品、技术和应用创新成果。“中国芯”指引和见证了中国集成电路产业的持续突破，被誉为国内集成电路产品和技术发展的“风向标”，受到了集成电路企业、业界专家和众多产业链上下游厂商的大力支持，以及社会大众的高度关注。

瑶芯SiC MOSFET G4.5代产品平台—性能指标跻身全球第一梯队

“中国芯”优秀技术创新产品奖，主要面向近两年内研发成功，技术创新性强、有自主知识产权、对完善自主供应链产生效益的单款芯片产品。瑶芯能够在此次评选中成功入围，是业界对瑶芯核心技术能力和产品创新成果的肯定。

在Ron,sp（specific on-resistance）这一碳化硅最核心技术指标上，瑶芯1200V G4.5 RSP跻身全球第一梯队；同时在过往成功经验的基础上，与国内外诸多头部客户深入交流，针对实际应用，精细打磨芯片结构，全自主设计，产品表现出优异的外在特性。以本次获奖的1200V G4.5 40mΩ SiC MOSFET（AK1CK2M040WAM）产品为例，其主要应用于大功率直流充电桩，该应用对产品动态参数Crss（反向传输电容，该值越小越好）的要求极高，直接影响到充电桩的输出效率，AK1CK2M040WAM的Crss低至6.5pF，相较于上一代产品有极大的提升，相关技术指标也达到行业第一梯队水平。

凭借先进的技术，瑶芯1200V G4.5平台实现1200V 13.5-80mR全规格覆盖，相信在汽车主驱逆变、OBC/DCDC，大功率直流充电桩、高端服务器电源等领域将会大放异彩。

本着量产一代，开发一代，储备一代的原则，瑶芯下一代G5平台也已成功流片，相关产品参数完全达到甚至超出我们的预期，核心技术指标Ron.sp全球领先，相信在不远的将来，持续引领行业发展。

关于瑶芯

瑶芯微电子科技（上海）有限公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS 应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。

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