时科SIC MOS和SGT MOS产品亮相德国慕尼黑，为行业注入创新动能

时间： 2024-11-15 来源：时科（時科電子公众号）

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2024年11月12日，备受关注的慕尼黑国际电子元器件博览会（electronica）在德国慕尼黑展览中心拉开帷幕。作为全球领先的电子元器件展会，时科携带多款重磅产品与技术亮相展会，展现了在人工智能自动化、电动交通、智能能源等多个领域的技术成果。此次参展，時科聚焦展会“全电社会”主题，致力于通过全面的电子解决方案，为行业注入创新动能，推动技术的发展和应用。

在本次展会上，时科不仅展示了多款先进的产品，还带来了全新的解决方案，这些产品与技术得到了业内人士的高度评价和广泛关注。

现场产品：

SIC MOS

SIC MOS是時科为应对高电压、大电流场景推出的高效功率器件，拥有显著的高性能、低能耗和高安全性。

技术参数

Vds：750V-1700V

Vgs：-10/+25V

Id：70-355A

Qg：185-582nC

特点

高性能：SIC MOS具备高阻断电压和低导通电阻的特点，非常适用于高压场景。

低能耗：设计低电容与高速开关特性，有效降低了功耗，提升了系统的能效。

安全性：易于并联和驱动，具备雪崩耐受力，抗锁存能力强，使得器件坚固耐用。

技术优势

工艺优势：与普通硅器件不同，SIC材料能够自然生成理想的SiO2介质层，通过氮化工艺（NO或N2O退火）后，SIC MOS结构的沟道电阻降低了50%以上，进一步提升了其导电性能。与之伴随的是，界面陷阱引起的阈值电压漂移问题也得到了有效解决。

结构优势：SIC MOS器件的漂移层阻抗显著低于硅器件，不需要电导率调制即可实现高耐压和低阻抗性能。相比IGBT器件，SIC MOSFET的优势在于无尾电流效应，因而开关损耗更低，散热设计得以简化，有助于设备小型化。

材料优势：SIC材料的阻断电压是传统硅材料的10倍，具有更高的电流密度，且导通速度提升了10倍以上。同时，SIC MOSFET具有高达200℃的额定工作温度，显著简化了热管理需求，进一步缩小了PCB板的尺寸，有效提升了系统稳定性。

应用领域

SIC MOS广泛应用于新能源充电桩、光伏发电系统、智能电网、工业设备以及高性能服务器等对效率与可靠性要求极高的领域。

SGT MOS

SGT MOS采用先进的屏蔽栅MOSFET技术，适用于电源管理、快充及逆变器等中低压场景。

技术参数

Vds：40V-100V

Vgs：±20V

Id：80-155A

RdS（ON）@10V：2.8mΩ-3.6mΩ

特点

高性能：采用先进屏蔽栅MOSFET技术，实现了卓越的导通性能。

低能耗：降低导通电阻，确保开关速度更快，有助于提升系统能效。

安全性：深沟槽设计使其在雪崩击穿时表现更出色。

技术优势

工艺优势：SGT MOS工艺比普通沟槽工艺更深3-5倍，在栅电极下增加屏蔽电极，有效减少米勒电容和栅电荷，加快了器件的开关速度，降低了开关损耗。

结构优势：SGT结构具备电阻电容缓冲效果，在关断瞬态振荡时抑制电压尖峰，避免应用中的风险。SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield能够吸收关断瞬态变化产生的振荡，进一步提升了可靠性。

晶圆优势：在同样的DFN5*6封装中，SGT芯片实现了更低的导通电阻，通过电荷耦合效应减小漂移区临界电场强度，降低导通损耗，有效提高系统的耐久性。

应用领域

SGT MOS适用于PD快充、电源管理系统、电机驱动系统、逆变器系统以及锂电保护板等中低压应用场景，满足现代设备对效率、稳定性和安全性的严格要求。

展会成果与反响

在此次博览会上，时科的产品吸引了大量来自全球的客户、工程师和行业专家的关注与高度赞赏。通过现场展示与技术探讨，参观者对時科产品的高性能、低能耗及安全性有了深入的了解。许多海外工程师对時科产品表现出浓厚的兴趣，并积极进行洽谈。

时科在此次展会上的亮相不仅展现了在半导体分立元器件领域的深厚积累，也进一步加强了其全球战略地位。与会者对时科产品的认可充分体现了其在高端市场的竞争力，为时科的全球化布局奠定了坚实基础。

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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

2024/7/30 - 中电国基南方 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

时科（SHIKUES）成立于2008年，是一家全球知名的半导体分立元器件厂商，产品远销亚太地区，北美和欧洲等五十多个国家。时科半导体产品线已涵盖20多个产品类目，近4000款单品，全系列产品均通过欧盟ROHS REACH 卤素检测，多数产品通过美国UL认证。

二极管 Low VF肖特基二极管小封装肖特基肖特基二极管整流管普通整流二极管小信号整流二极管快恢复整流管高效整流管超快恢复整流管 3-Pin超快恢复整流管桥式整流器快恢复桥式整流器高效桥式整流器超快恢复桥式整流器肖特基整流桥稳压二极管稳压管（双芯片）双向触发二极管开关二极管变容二极管 PIN二极管 ESD保护管/TVS 瞬态抑制管双极型晶体管带阻三极管达林顿三极管高频管场效应管低压差稳压器电源基准IC 三端稳压IC 硅麦氮化镓整合式IC 碳化硅肖特基二极管

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【应用】芯洲科技为智能座舱/ADAS/OBC提供车规级电源管理芯片，轻松解决EMI及过流保护等痛点问题

芯洲科技近期上线10多款车规电源芯片产品：LDO、降压变换器、升压/升降压/反激控制器、MOS管驱动、功率保护器件、集成PMIC产品等。为智能座舱/ADAS域应用、车载动力域、车身域等各类车载应用提供全方位的电源解决方案。

2023-08-04 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。