“最佳技术实践应用奖”——上海贝岭IGBT器件和线性LED驱动器等多款产品一一解析
近期，华大半导体旗下上海贝岭股份有限公司荣获2024第六届金辑奖“最佳技术实践应用奖”。
产品解析
BLQG3040A/BLG3040系列——一款专门为汽车点火器设计的自钳位绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件，符合AEC-Q101标准。可适用于各种汽车点火应用。
应用功能参数：
高雪崩能力（ESCIS=300mJ@TJ=25 °C，ISCIS=14.2A）
低温度系数，满足宽温范围应用
低通态损耗
低导通阈值（简化驱动设计）
400V/430V钳位电压，匹配点火应用
MEDS92630是一个一通道线性LED驱动器，具有模拟和PWM调光控制。该器件的全面故障检测和内置保护使其成为可达到中等功率范围的可变强度LED照明应用的理想选择。
应用功能参数：
3通道LED驱动器（模拟和PWM调光）
宽输入电压范围：5V-40V
可调恒定输出电流
最大电流：150mA每通道
最大电流：450mA并联工作模式
精度：在I（IOUTX）>30mA时，每通道±2%
精度：±2.5%每个器件在I（IOUTX）>30mA
使用多个IC或单个IC的多个通道并行，以实现更高的电流低电压降
BLQGMS820T75FEDL7（HPD模块）采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构；具有极低的Vcesat，正温系数，优化的栅电荷和米勒电容；具有强的抗EMI能力和短路能力。
应用：
适用于电动汽车和混动汽车的逆变主驱，以及电机驱动等应用
BLQ3N120是1200V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET，采用先进的MOSFET技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量，并通过了AEC-Q101汽车级可靠性测试。
适用：
动力电池BMS高压检测，电动汽车主驱辅助电源，SMPS、高速开关和各种通用场景应用
BLQ3N100E是1000V特高压硅基N沟道增强型平面MOSFET，采用先进的MOSFET技术，带ESD保护结构，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量，并通过了AEC-Q101汽车级可靠性测试。
适用：
动力电池BMS高压检测，电动汽车主驱辅助电源，SMPS、高速开关和各种通用场景应用
BL0942电能计量芯片采用贝岭最新的免校准技术，具有高精度，外围简单，高可靠性等特点。
应用：
充电桩、智能插座、智能家电等应用
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