【应用】国产栅极驱动芯片用于变频器,静态电流低至4.5mA,高端工作电压可达80V
如今的21世纪,国产变频器逐步崛起,现已逐渐抢占高端市场,国产芯片也从中逐渐崛起。在变频器中不少物料很多客户也由进口转回国产,其中驱动电路上某用户原来使用的是英飞凌IR2104S,由于供货等问题考虑国产化;本文介绍屹晶微电子的EG3012S应用于变频器中的优势特点。
变频器(Variable-frequency Drive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。
以下为屹晶微电子的栅极驱动芯片EG3012S部分应用框图:
屹晶微电子的EG3012S芯片应用于变频器中,具有以下优势特点:
1、高端的工作电压可达80V,VCC的电源电压范围宽11V~30V,满足客户的宽压不同应用需求。
2、静态功耗低仅4.5mA,可大大增加续航时间。
3、可专用于无刷电机N沟道MOS管、IGBT管栅极驱动,应用场景广泛。
4、采用小封装形式:SOP-8,节省PCB设计空间。
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