【应用】国产栅极驱动芯片用于变频器，静态电流低至4.5mA，高端工作电压可达80V
如今的21世纪，国产变频器逐步崛起，现已逐渐抢占高端市场，国产芯片也从中逐渐崛起。在变频器中不少物料很多客户也由进口转回国产，其中驱动电路上某用户原来使用的是英飞凌IR2104S，由于供货等问题考虑国产化；本文介绍屹晶微电子的EG3012S应用于变频器中的优势特点。
变频器（Variable-frequency Drive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。
以下为屹晶微电子的栅极驱动芯片EG3012S部分应用框图：
屹晶微电子的EG3012S芯片应用于变频器中，具有以下优势特点：
1、高端的工作电压可达80V，VCC的电源电压范围宽11V～30V，满足客户的宽压不同应用需求。
2、静态功耗低仅4.5mA，可大大增加续航时间。
3、可专用于无刷电机N沟道MOS管、IGBT管栅极驱动，应用场景广泛。
4、采用小封装形式：SOP-8，节省PCB设计空间。
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