【产品】1400MHz至6000MHz频段内具有单端输入/差分输出的高增益射频放大器F1129
IDT（RENESAS收购）推出的F1129产品系列是在1400MHz至6000MHz频段内具有单端输入/差分输出的高增益射频放大器。低噪声系数和高线性度性能的结合使这类器件可应用于接收器和发射器。F1129系列常设计工作在5V单电源供电同时额定电流Icc为70mA。 在5V供电时，F1129系列产品在3600MHz时典型增益可达18dB，噪声系数为2.2dB同时OIP3输出为+32dBm。每个F1129系列型号都采用2mm x 2mm，12-pin DFN封装，具有单端50Ω输入阻抗和差分50Ω或100Ω输出阻抗，便于集成到信号路径中。
竞争优势
▪ 高增益
▪ 频率内优异的增益平坦度
▪ 温度范围内具有突出的增益变化特性
▪ 待机功能
▪ 差分输出直接驱动收发器输入
典型应用
▪ 5G/MIMO基站
▪ 4G TDD和FDD基站
▪ 2G/3G基站
▪ 中继器和DAS
▪ 点对点基础设施
▪ 公共安全基础设施
▪ 军用手持设备
特征
▪ 射频范围：1400MHz至6000MHz
▪ F1129Lx系列：1400MHz至3200MHz
▪ F1129Mx系列：3000MHz至4200MHz
▪ F1129Hx系列：4000MHz至6000MHz
▪ 3600MHz时增益为18dB
▪ 3600MHz时噪声系数为2.2dB
▪ 3600MHz时OIP3为+32dBm
▪ 3600MHz时OP1dB为+18dBm
▪ 近恒定的增益与温度关系
▪ 5V电源供电
▪ 5V时ICC 为70mA
▪ 待机电流2mA
▪ 5V供电时典型直流功耗为350mW
▪ 单端输入阻抗50Ω
▪ 差分输出阻抗50Ω或100Ω
▪ F1129xA系列：50Ω差分输出
▪ F1129xB系列：100Ω差分输出
▪ 待机控制可用逻辑电平1.8V和3.3V
▪ 工作温度（TEP）范围：-40°C至+ 115°C
▪ 封装采用2mmx 2mm，12-pin DFN
图1 产品系列
图2 订购信息
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F1129MB 50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Datasheet
型号- F1129 EVKIT DIFF,LQG15HS1N0S02,F1129MBNELI,F1129MBEVB,GRM1555C1H102J,ERJ2GE0R00X,GRM1555C1H101J,F1129MBNELI8,F1129XX,GRM1555C1H100J,GRM1555C1H50BA01D,61300311121,F1129LB,F1129MB,142-0701-851,F1129LA,F1129MA,F1129,F1129HB,F1129HA
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现货市场
服务
支持Bluetooth SIG最新的测试规范，支持2.0(EDR), 2.1(EDR), 3.0(HS), 4.0(LE)规范, 并且能完整覆盖BR/EDR/HS/BLE的所有射频测试项目。测试标准：RF.TS/4.03 ；RF-PHYTS/40.3。
实验室地址： 深圳 提交需求>
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 成都 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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