国际集成电路展览会暨研讨会顺利落幕,上海贝岭第7代IGBT芯片荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项
2024年11月5日,上海贝岭市场工业市场经理冒晶晶受邀参加由全球技术信息集团ASPENCORE举办的“IIC SHENZHEN-国际集成电路展览会暨研讨会”。会议中,上海贝岭工业市场经理冒晶晶进行了“功率器件助推上海贝岭积极融入新能源赛道”的主题演讲并与出席会议的各大半导体行业专家及相关产业嘉宾进行了交流学习。
此次会议中,上海贝岭凭借第7代750V 275A沟槽栅场阻止结构IGBT芯片(BLQG275T75F)荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项。
产品推荐
BLQG275T75F产品基于贝岭Trench-FS Gen7技术平台,具有正向压降小、开关速度快,开关损耗低、高可靠性等特点。采用第七代微沟槽栅技术,优化了导通压降和开关损耗,实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术,改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术,实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。
该芯片完成全面的车规认证,特别为工作频率在5至20kHz的硬开关电路设计,主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布,优化正温度系数,使得该芯片易于并联使用,保证了产品的易拓展性,可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。
应用:以TO-247PLUS单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器,适合A0级和A00级纯电动汽车。以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器,适合A级纯电动及混合动力汽车。
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上海贝岭EEPROM选型表
上海贝岭提供如下EEPROM产品的技术选型,Capacity范围:2K bits~1024K bits,具有Two-wire Serial和Serial Peripheral Interface两种接口类型,VDD(V)范围:1.7~5.5V......上海贝岭的存储器产品有DIP8、 SOP8 、TSSOP8 、UDFN8 、TSOT23-5 、SOT23-5 、WLCSP4等多种封装形式可供选择可广泛应用于智能手机、LCD面板、蓝牙模块、通信、计算机和外围设备、医疗设备、白色家电、汽车电子和工业控制等领域。
产品型号
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品类
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Capacity
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Interface
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VDD(V)
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Package
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Reference
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BL24C02F
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存储器
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2K bits
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Two-wire Serial
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1.7~5.5V
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DIP8 SOP8 TSSOP8 UDFN8 TSOT23-5 SOT23-5
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24C02
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
上海贝岭DC/DC Step-down Converter选型表
上海贝岭提供如下DC/DC Step-down Converter产品的技术选型,PWM/PFM MODE,VIN(V)范围:+2.6V~+60V,IQ范围:+0.2mA~+80μA;FOSC范围:+1.3MHz~+500KHz;±2%~±2.5%精度,IOUT范围:+600mA~+1.2A.....上海贝岭的降压型 DC/DC 转换器产品有DFN2x2-6、SOT23-5、 SOT23-6、ESOP8等多种封装形式可供选择可广泛应用于TV,STB,PON,电表,车载, 载波模块等领域。
产品型号
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品类
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Power switching
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MODE
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VIN(V)
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VOUT
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IQ
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FOSC
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Eff.
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Max. Duty Cycle
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Accu.
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IOUT
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Package
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Application
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Reference
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BL8026
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降压型 DC/DC 转换器
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Built-in MOSFET Synchronous
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PWM/PFM
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2.6~7.0V
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ADJ
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50μA
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1.5MHz
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0.97
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1
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±2%
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1A
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SOT23-5 DFN2x2-6
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TV,MID,STB, PON
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SY8008, AMP2105 RT8008, RT8024
MT2104
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
上海贝岭CMOS Type LDO Linear Regulator选型表
上海贝岭提供如下CMOS Type LDO Linear Regulator产品的技术选型,VIN(V)范围:+1.5~+8V;VOUT范围:+1V~+6V;IQ范围:+0.8μA~+90μA;IOUT Max. 范围:+0.8A~+600mA;拥有±2% or ±1%精度,60dB@1KH~87dB@217Hz电源纹波抑制比....上海贝岭的CMOS 型低压差线性稳压器 产品有DFN1x1-4 、SC70-5 、SOT23-3 、SOT23-5、SOT223-3 、TO252-3等多种封装形式可供选择可广泛应用于TV,STB,PC主板,电表,车载,玩具,手机,无绳电话,MID 等电池供电设备的领域。
产品型号
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品类
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Features
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VIN(V)
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VOUT(V)
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Accu.
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IQ(μA)
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IOUT Max.
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Package
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Application
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BL8078
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CMOS 型低压差线性稳压器
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Low Power Consumption, Low Dropout Voltage
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3.0~40V
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1.2~5.0V
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±2%
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2.5μA
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150mA
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SOT23-5 SOT89-3
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电表,车载,玩具
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
【产品】1200V/10A PIM (CIB)拓扑结构 IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T
Vincotech公司推出击穿电压1200V/额定电流10A的IGBT功率模块10-EZ12PMA010SC-L927A08T,采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT4芯片技术,使用flow E1模块外壳,封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm,可用于工业驱动。
【产品】600V IGBT功率模块 V23990-K201-A-PM,可用于低功率驱动等应用
V23990-K201-A-PM是一款由Vincotech公司推出的基于MiniSKiiP®PIM 1产品线的IGBT功率模块,可用于低功率驱动等应用。
上海贝岭Trench MOSFET选型表
上海贝岭提供如下Trench MOSFET产品的技术选型,BV(V)范围:-100~+100;ID(A)范围:-25~+200;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.范围:+3~+72;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.范围:+4~+90;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.范围:+7~+110;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.范围:+9~+130;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.范围:+9~+68;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.范围:+3~+120;VTH (V) Min.范围:-1~+2;VTH (V) Typ.范围:-1.7~+3;VTH (V) Max.范围:-2.4~+4......上海贝岭的沟槽场效应晶体管产品有TO252 、PDFN3.3×3.3、 PDFN5×6 、SOP8、SOT23等多种封装形式可供选择可广泛应用于功率开关应用、不间断电源、直流-直流转换器等。
产品型号
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品类
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BV(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
|
VTH (V) Min.
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VTH (V) Typ.
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VTH (V) Max.
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Package
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BLM1216Y
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沟槽场效应晶体管
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-12
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-8
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-
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-
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11.5
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18
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14
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22
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-0
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-1
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-1
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SOT23
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
上海贝岭-BL3085系列细分差异
型号- BL1590,BL3085(I47),BL3085(I36),BL3085,BL3085(I37),BL1587,BL3085N,BL13232ESO,BL3085A(H),BL3085N(I56),BL13232ETS
【产品】1200V/35A的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72,可用于工业传动
Vincotech(威科)的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72,属于MiniSKiiP®PIM 2产品系列,芯片为IGBT M7,具有低VCEsat和增强EMC性能,击穿电压为1200V,标称芯片额定电流为35A,可应用于工业传动等领域。
上海贝岭Double Trench MOSFET选型表
上海贝岭提供如下Double Trench MOSFET产品的技术选型,BV(V)范围+60~+100;ID(A)范围:+10~+120;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.范围:+3.6~+17;RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.范围:+4.5~+20;VTH (V) Min.范围:+1~+2;VTH (V) Typ.范围:+1.8~+3;VTH (V) Max.范围:+2.5~+4......上海贝岭的双沟槽场效应晶体管产品有TO220 、TO263、TO252 、PDFN5×6等多封装形式可供选择可广泛应用于汽车、起动发电机、工业车辆、推进传动系统、叉车驱动以及电池提供的设备等。
产品型号
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品类
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BV(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
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VTH (V) Min.
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VTH (V) Typ.
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VTH (V) Max.
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Package
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BLP25N06L
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双沟槽场效应晶体管
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60
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10
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17
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20
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22
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27
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1
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2
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3
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PDFN 3.3×3.3
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
【应用】上海贝岭BLG15T65FUL IGBT用于逆变电源,耐压高达650V,运行稳定
逆变电源,需要稳定可靠的IGBT来实现。这里推荐上海贝岭BLG15T65FUL IGBT,特点:650V高耐压,保证运行稳定。Ic:15A,可以适用更大功率输出场景。TO-220F-3封装,标准尺寸,方便设计及排版。
电子商城
现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
Ignion可支持多协议、宽频段的物联网天线方案设计,协议:Wi-Fi、Bluetooth、UWB、Lora、Zigbee、2G、3G、4G、5G、CBRS、GNSS、GSM、LTE-M、NB-IoT等,频段范围:400MHz~10600MHz。
最小起订量: 2500 提交需求>
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