【产品】DFN8封装P沟道增强型功率场效应晶体管AM7401，具有低导通电阻
AM7401是AIT（创瑞科技）推出的P沟道增强型功率场效应晶体管，采用沟槽DMOS技术。该技术可以最大限度地降低导通电阻，具有高速开关特性，在器件雪崩和换向模式下能够承受高能脉冲，具有高可靠性。产品采用DFN8(3.3x 3.3)封装，尺寸小，可以有效减少PCB空间。 产品非常适合高效负载开关等应用。
图1 器件俯视图
特征：
VDS=-30V, ID=-39A
VGS=-10V条件下,导通电阻RDS(ON)的典型值为10.5mΩ
VGS=-4.5V条件下,导通电阻RDS(ON)的典型值为14mΩ
100％UIS和Rg测试
产品采用DFN8(3.3x 3.3)封装
AM7401的漏源电压VDSS为-30V, 栅源电压VGSS为±25V。连续漏极电流ID在Tc=25℃条件下为-39A，在Tc=100°C条件下为-24.7A。在VGS=-10V,ID=-12.3A条件下漏源导通电阻典型值仅为10.5mΩ，最大值仅13mΩ。耗散功率PD在TA=25℃条件下仅为3.1W。AM7401具有导通电阻低，功耗小，充分体现了（创瑞科技）采用沟槽DMOS技术的优势，使得器件运行过程中能够减少功率损耗，提高系统运行效率。
AM7401的工作结温范围为-55℃~+150℃，存储温度范围为-55℃~+150℃，能够适应较为恶劣的工业生产环境。产品的结壳热阻RθJC不超过为4°C/W。产品在大功率整流电路设计中具有较高的可靠性。
AM7401拥有良好的电气特性。产品在VDS=-30V,VGS=0V,Tj = 25°C条件下，栅源短路时漏极电流IDSS不超过-1μA。栅极阈值电压VGS(th)最小值为-1V，典型值为-1.6V, 最大值为-2.5V（VDS= VGS, ID = -250uA）。此外，AM7401的反向恢复时间trr典型值为13.8ns，可实现高速开关运行。反向传输电容Crss典型值为172pF（VGS = -15V，VGS = 0V，f = 1MHz）。
主要电气参数如下表(绝对最大额定值)：
应用：
LED
电源管理
负载开关
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型号- 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A Fabless IC Design Company for Analog & Mixed Signal Circuits
型号- 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
【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435，SOP8封装
AiT推出的AM9435是P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度，先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。
AIT 低压MOS管选型表
AIT提供以下参数选型，V(BR)DSS (V)：-60 to 600；VGS (V)：±6 to ±30；多种封装：TO-220，SC-89，SOT-23S，TO-252，SOT-23等。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS (V)
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VGS (V)
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IDS (A) (25°C)
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VGS(TH) (V) Min/Max
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RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ
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Type
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ESD
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Vgs=±4.5V (mΩ) Typ
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Vgs=±2.5V (mΩ) Typ
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Vgs=±1.8V (mΩ) Typ
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Package Type
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AM0292
|
低压MOS管
|
100
|
±20
|
120
|
2.0/4.0
|
4
|
N
|
–
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–
|
–
|
–
|
TO-220
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选型表 - AIT 立即选型
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服务
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
采用SMT/SMT+DIP封装加工，PCB成品尺寸：50*50~340*500mm，板厚：0.6~3.0mm，最快交期：2~3天。支持1~200片（拼版200片）的PCBA主板贴片。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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