全球有多少座8英寸碳化硅厂?
2024年的碳化硅市场犹如一条汹涌的大河,全球各大厂家倾泻而下、奔涌向前。我们可以看到全球各大厂在过去几年中投资布局的8英寸碳化硅生产线已逐步进入落地阶段,包括英飞凌在马来西亚建设的居林新厂,安森美在韩国富川规划的生产设施,三安在重庆投资的碳化硅项目等等。聚焦我国,则以碳化硅产业链中的8英寸衬底材料发展为甚,近两年许多企业8英寸衬底技术陆续突破。
总体而言,8英寸碳化硅时代的脚步已无比临近,本文将对全球碳化硅芯片厂以及我国碳化硅产业链企业进行盘点,进一步廓清碳化硅产业未来发展趋势。
全球布局:新建14座8英寸碳化硅厂
在全球碳化硅市场中,意法半导体(ST)、安森美(Onsemi)、英飞凌(Infineon)、Wolfspeed罗姆(ROHM)、博世(BOSCH)、富士电机(Fuji Electric)、三菱电机、世界先进和汉磊、士兰微、芯联集成企业纷纷宣布建设自己的8英寸碳化硅芯片厂,如下图所示。上述厂商中的多家企业不仅在芯片厂布局完善,在上游衬底和外延等材料端也布局完善。
图片来源:TrendForce集邦咨询
中国碳化硅产业链发展情况几何?
据全球半导体观察不完全统计,我国近年来有超100家企业在碳化硅领域进行布局,其中2024年就有超50个碳化硅项目迎来最新进展。如下图所示,涉及的企业包括三安半导体、天科合达、重投天科、天岳先进、晶盛机电、同光股份、东尼电子、科友半导体等等。其中合盛新材多家企业在8英寸衬底、外延、晶体生长以及设备等多领域的突破值得关注。
衬底方面,国外多家大厂已与我国天科合达、天岳先进等企业签订了长期供货协议。多方行业人士表示,中国的碳化硅企业特别是在衬底制备领域,国内衬底企业的6英寸以及8英寸产品,无论是从产品的质量、产能还是价格,都已经具备了明显的竞争力。预计未来几年,国内头部衬底企业将成为国际市场8英寸衬底的主要供应商,市场占比远超目前的6英寸。
今年以为我国碳化硅衬底市场动态频频, 9月10日宁波合盛新材宣布其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通,产品在微管密度、电阻率等关键性能指标上表现优异;9月2日天岳先进表示,在8英寸碳化硅衬底上,公司率先实现了自主扩径,完成从8英寸导电型衬底制备到产业化的快速布局;科友半导体近期则表示,该公司的8英寸碳化硅长晶良率达到60%左右,8英寸碳化硅衬底加工产线于2023年底调试完毕后,正陆续提升产能;世纪金芯表示,8英寸碳化硅衬底片已与多家国内外客户完成多批次产品验证,预计2024年下半年落成订单;今年4月11日青禾晶元官方宣布,在国内率先成功制备了8英寸碳化硅键合衬底。
而在碳化硅外延领域,天域半导体也在加码扩产,据悉其总部和生产制造中心项目一期即将试产,产能为17万片/年。另外近期官方也披露了天域半导体的8英寸碳化硅外延工艺技术研发及产业化能力提升项目;此外,5月13日,希科半导体宣布,公司成功实现了国产8英寸碳化硅衬底上同质外延生长,正式具备8英寸SiC外延片量产能力;瀚天天成也在今年5月宣布,公司完成了具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发,瀚天天成正式具备了国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力;今年4月,南京百识电子宣布正式具备国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力…
而在碳化硅设备领域,近日中国电科48所表示,其自主研发的8英寸碳化硅外延设备已实现关键技术突破,通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术,设备自动化性能更加成熟,提升了产品生产效率;广州三义激光生产的首批6 & 8英寸碳化硅激光滚圆设备顺利完成生产并正式交付客户,提高了生产效率和产品良率;今年8月纳设智能也成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备;晶升股份首批8英寸碳化硅长晶设备已于今年7月在重庆完成交付;早在去年6月,晶盛机电就成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备;此外,我国半导体设备龙头企业北方华创,面向8英寸衬底和外延制造已有相应的设备产品下线…
总体而言,我国碳化硅产业近年来发展迅速,市场规模不断扩大,其中在上游碳化硅衬底制备技术方面取得了显著进展,不断缩小与国际先进水平的差距,而在中游器件和模块制造环节与国际大厂还存在较大差距。
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龙夏电子MOSFET选型表
龙夏电子提供以下参数的MOSFET:Polarity:N,N+P;Configuration:Single,Dual;Package:TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装;VDS(V):20V~800V;VGS(±V):12V~30V;ID(A)@25°C:4A~372A;RDS(ON)(mΩ)TYP@10V:0.37mΩ~780mΩ;EAS(mj):13mj~7482.25mj;Rg(Ω):0.37Ω~20Ω;Ciss(pF):6pF~16974pF;Coss(pF):41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
产品型号
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品类
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Polarity
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Configuration
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Package
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VDS(V)
|
VGS(±V)
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ID(A)@25°C
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EAS(mj)
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LR038N02T9
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MOSFET
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N
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Single
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PDFN3*3
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20V
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12V
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80A
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182.25mj
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