强茂推出最新车规级60V N通道MOSFET，采用屏蔽栅槽沟技术（SGT）来支持汽车电力装置
随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展，强茂推出最新车规级60V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽栅槽沟技术（SGT）来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标（FOM）、超低导通电阻（RDS(ON)）以及最小化的电容，能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率，降低导通与切换的损耗，提供更卓越的电气性能。
强茂的60V N通道SGT-MOSFETs提供多种紧密且高效的封装选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，为各类电力电子应用提供更为可靠的解决方案。这些MOSFETs皆通过AEC-Q101之认证，具备优异的导通和切换特性，在车用领域中是电源转换、驱动与控制应用的理想选择。此外，可承受结温高达175℃，为现代电子产品提供最佳的设计弹性。
最重要的是强茂在SGT-MOSFETs的产品研发上，不仅推动电动/燃油汽车技术的发展，还致力于促进整个汽车产业链的持续成长与发展，服务广泛涵盖各终端之应用。此外，强茂的产品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0标准的绿色材质，体现了强茂致力于为客户提供高性能、可靠和环保产品的承诺。
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