基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验
随着可再生能源、电动汽车等领域现代电力应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料具有适合高压、大功率应用的优良特性，在650V、1200V及更高电压场景中开始发挥显著作用，成为光伏逆变器、电动汽车充电的最佳解决方案。
本期话题，给大家推荐一个超级给力的产品，那就是基本半导体面向工业应用开发的Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块。如果你还在为传统硅基半导体的性能瓶颈烦恼，那你绝对不能错过这款产品。它不仅采用了先进的碳化硅技术，还结合了高品质晶圆工艺，简直就是高效与稳定的完美结合！
一、高性能氮化硅陶瓷基板带来的革命性好处
为改善长期高温度冲击循环引起的CTE失配现象，Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块采用高性能的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板及高温焊料，以满足应用端对高热导率、优异电绝缘性能以及高强度、高可靠性的要求。
不同陶瓷覆铜板材料的性能对比
1. 高热导率与低热膨胀系数
由于氮化硅陶瓷基板的热导率远高于传统的硅材料，这意味着在高功率密度的应用中，它可以更有效地散热。此外，其低热膨胀系数确保了在温度变化时器件的物理尺寸保持稳定，从而减少了因热循环引起的机械应力，提高了模块产品的长期可靠性。
相比之下，氧化铝（Al₂O₃）虽然成本较低，但其热导率仅为20-35W/m·K，远低于氮化硅的160-240W/m·K。氮化铝（AlN）的热导率较高，约为170-260W/m·K，与氮化硅相近，但在高温下，氮化铝的性能可能会下降。
2. 优异的电绝缘性能
氮化硅材料的电绝缘强度是硅的10倍，这使得Pcore™2 E2B模块能够在更高的电压和频率下工作，同时保持较低的能量损耗。这对于追求高效率和高功率密度的应用来说，是一个显著的优势。而氧化铝和氮化铝虽然也具有良好的电绝缘性能，但它们的电气性能通常不如氮化硅。
3. 耐环境影响
由于氮化硅材料对环境因素如湿度、温度和化学物质等具有很高的抵抗力，这保证了Pcore™2 E2B模块在恶劣环境下仍能保持稳定性能，延长使用寿命。相比之下，氧化铝和氮化铝在某些极端环境下可能会出现性能退化，尤其是在高温和化学腐蚀环境中。
二、晶圆内嵌碳化硅肖特基二极管的显著设计优势
1. 低开关损耗、抗双极性退化
基于碳化硅肖特基二极管的零反向恢复特性，Pcore™2 E2B模块所采用的碳化硅MOSFET晶圆在设计时便考虑到了这一点，通过在碳化硅MOSFET元胞中内置碳化硅二极管元胞，使得体二极管基本没有反向恢复行为，大幅降低了器件的开通损耗。
这种设计有效避免了传统体二极管的叠层缺陷问题，即当逆电流流过本体二极管时，不会导致主体MOSFET管的有源区域减小和比导通电阻RDS(on)的变化。这种设计不仅降低了VF值，还防止了碳化硅的双极性退化。
2. 低导通压降
这一晶圆设计也使得Pcore™2 E2B模块中的体二极管（SiC SBD）具有极低的导通压降，仅为1.35V。这比传统的硅基二极管要低得多，直接导致了更低的正向压降和更高的效率，尤其在高电流应用中更为明显。
3. 高速开关性能
内嵌的碳化硅二极管不仅导通压降低，而且具有非常快的开关速度。这意味着在高频应用中，Pcore™2 E2B模块可以快速切换减少开关损耗，提高整体能效。
4. 高温稳定性
内嵌碳化硅二极管的碳化硅MOSFET的使用还赋予了Pcore™2 E2B模块出色的高温稳定性。即使在极端的工作温度下，内嵌的碳化硅二极管也能保持其卓越的电气特性，确保设备在各种环境下都能可靠运行。
三、推荐应用领域
凭借这些卓越的技术特点和性能优势，Pcore™2 E2B碳化硅半桥模块非常适合应用于以下领域：
电能质量全碳化APF/SVG的应用——体积重量成本明显下降，整机峰值工作效率提升至99%。
大功率充电桩应用——充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率，减少50%的损耗。此外，碳化硅还能提高单位功率密度，减小模块体积并简化电路设计，对降低充电桩成本起到重要作用。
全碳化硅高速伺服应用——更好的系统响应能力，更精准的控制，提供分立器件及功率模块。
通过以上的技术解析和应用领域的介绍，我们可以看到Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势，其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言，Pcore™2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自基本半导体公众号，原文标题为:SiCer小课堂 | Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验！，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板等技术。
产品 发布时间 : 2024-04-12
【元件】基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证，全力推进新能源汽车高效应用
近日，基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求，至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
产品 发布时间 : 2024-06-28
LITTELFUSE电动汽车充电开关解决方案分享：匹配三种充电插头标准
与手机充电线类似，汽车充电线通常有两个插口，一个插入汽车上的插座，另一个插入充电桩插座。但由于电流、充电速度或不同国家的因素，汽车的充电接口会有所不同。本文LITTELFUSE来为大家介绍电动汽车充电开关解决方案。
产品 发布时间 : 2024-11-14
基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
基本半导体2023年碳化硅产品不断创新，车规级碳化硅芯片和功率模块产能稳步提升
2023年，基本半导体迎来了众多高能时刻，产品创新应接不暇，产能建设继续加码，量产交付稳健增长，收获了众多合作伙伴的认可与支持。
原厂动态 发布时间 : 2024-02-02
显著提升充电桩充电效率，基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析
基本半导体PcoreTM2 E2B全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3基于高性能晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。在高压快充的大背景下，以基本半导体为代表的碳化硅功率器件企业将不断加大研发力度，确保先进技术能紧跟行业趋势和市场需求，为充电桩设备制造企业提供更高性能的碳化硅功率器件。
器件选型 发布时间 : 2024-07-08
基本半导体发布适配EasyPACK封装的Pcore2 E2B碳化硅功率模块和门极驱动芯片系列新品
7月11-13日，在2023慕尼黑上海电子展上，基本半导体正式发布工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 至此公司产品阵容进一步完善，充分展现了基本半导体的专业技术实力和创新能力，吸引了国内外客户及行业人士的广泛关注。
原厂动态 发布时间 : 2023-07-13
基本半导体亮相PCIM并重磅发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET等系列新品
日前，全球最大的功率半导体展会PCIM Europe 2024在德国纽伦堡盛大开启。基本半导体再度亮相展会，并正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品。
原厂动态 发布时间 : 2024-06-24
基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展
基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品亮相第38届日本国际电子科技博览会。基本半导体重点展示了自主研发的汽车级＆工业级碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET及二极管、门极驱动器、门极驱动芯片等产品，充分展示了公司在碳化硅功率器件领域的领先技术和创新能力。
原厂动态 发布时间 : 2024-03-07
【元件】基本半导体于2023年全球最大功率半导体展会PCIM发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
基本半导体新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能。
新产品 发布时间 : 2023-05-13
基本半导体携碳化硅系列年度新品与功率器件整体解决方案亮相2023基本创新日震撼发布
10月26-27日，以“创芯致远，共赢未来”为主题的2023基本创新日活动在深圳隆重举办。基本半导体总经理和巍巍博士在会上正式发布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。
原厂动态 发布时间 : 2023-10-30
简化电动汽车充电器和光伏逆变器的高压电流检测
在电动汽车充电器中，电流传感器用于测量输入交流电源、直流/直流转换器和输出电源等位置的电流，以确认充电器是否正确地将交流电输送到电动汽车的车载充电器系统，或者将直流电直接输送到电池。如今，400V 电池正在朝着 800V 甚至更高电压的方向发展，以实现更大功率和快速充电。
设计经验 发布时间 : 2023-11-23
【产品】电动汽车充电接口采用顺科端子独有发明专利技术，防护等级能达到IP55
顺科新能源电动汽车产品满足国标GB/T20234.1/2/3—2015，充电系列插头插拔便捷，符合人体工程学，有充电防松功能，防护等级能达到IP55。机械及电气安全性能通过强检测试， 插针容量大，采用独家发明专利技术。
新产品 发布时间 : 2022-04-23
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论