瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计

时间： 2024-11-26 来源：瞻芯电子公众号

技术问答

为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。

目前有2款TC3Pak封装产品IV2Q12040K1Z和IV2Q12080K1Z通过了汽车级可靠性认证（AEC-Q101），采用成熟的Gen-2 SiC MOSFET技术，驱动电压兼容15V~18V，具有高频开关、低损耗等特点。

传统的表面贴装器件依赖PCB板散热或导热，限制了碳化硅MOSFET大功率的应用优势。新型TC3Pak封装顶部可紧贴外部散热器，不依赖PCB散热，从而显著抑制SiC MOSFET温度升高，帮助系统实现更高功率、更可靠地工作运行。

TC3Pak封装具有Kelvin源极引脚，可有效抑制驱动电压尖峰，减小开关损耗，有助于发挥SiC MOSFET高频开关优势，进一步提升系统效率。

TC3Pak封装外形紧凑，支持表面贴装，安装简便，示意图如下：

典型应用

采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET因低损耗、高频开关、散热性强等特点，主要适用于下列高效率、高密度应用场景：

车载充电机（OBC）
车载DC/DC
车载空压机控制器
光伏逆变器
AC/DC电源

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产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4