台懋半导体SGT工艺MOS管TMG130N20MP内阻低于9mΩ,峰值电流可达460A,已应用于MPPT产品

2024-11-26 台懋
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随着人们生活水平的提高,也为提高对太阳能资源的利用,MPPT产品被广泛应用于太阳能发电系统中,已占据了重要的一席之地。台懋半导体TMG130N20MP应用于MPPT产品已成为主流。 

 

其原理图文为:


TMG130N20MP有以下优势:

1、SGT工艺响应速度快,耐涌能力高,峰值最大值IDM可达460A;


2、低导通内阻,10V典型值为8.8mΩ,可以有效的降低产品温度及更好利用太阳能电池板充电量;


3、100%UIS测试,100%Rg测试,可靠性更高;


4、产品结温范围在-55%~150%,适用环境更宽。


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产品型号
品类
封装
MOSFET Type
VDS (V)
VGS (V)
Vth typ.(V)
ID (A)
Ciss (PF)
TM02N02I
MOSFET
SOT-23
N
20
±10
0.7
2.3
124

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