台懋半导体SGT工艺MOS管TMG130N20MP内阻低于9mΩ，峰值电流可达460A，已应用于MPPT产品

时间： 2024-11-26 来源：台懋

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随着人们生活水平的提高，也为提高对太阳能资源的利用，MPPT产品被广泛应用于太阳能发电系统中，已占据了重要的一席之地。台懋半导体TMG130N20MP应用于MPPT产品已成为主流。

其原理图文为：

TMG130N20MP有以下优势：

1、SGT工艺响应速度快，耐涌能力高，峰值最大值I_DM可达460A；

2、低导通内阻，10V典型值为8.8mΩ，可以有效的降低产品温度及更好利用太阳能电池板充电量；

3、100%UIS测试，100%Rg测试，可靠性更高；

4、产品结温范围在-55%~150%，适用环境更宽。

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产品型号	品类	封装	MOSFET Type	VDS (V)	VGS (V)	Vth typ.(V)	ID (A)	Ciss (PF)
TM02N02I	MOSFET	SOT-23	N	20	±10	0.7	2.3	124

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