中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

时间： 2024-11-28 来源：macrocore semiconductor

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SiC MOSFET,SiC器件,HX1M040200K,HX1M025170K

光储充领域已成为SiC器件的第二大应用市场，仅次于新能源汽车。

光伏逆变器，作为将太阳能电池组件产生的直流电转化为交流电的关键设备，正迎来“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”的时代。随着光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，对功率器件性能要求更严苛，碳化硅因而备受瞩目。

传统硅基逆变器虽成本低，但能量损耗大。相较于硅基IGBT，SiC MOSFET损耗更低、开关速度更快，且适应恶劣环境，可延长光伏逆变器寿命。基于SiC优异的性能，SiC在光伏领域的应用逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。目前，这两款产品已在市场中大量投入使用，凭借其出色的性能和稳定性，赢得了市场的广泛认可和用户的一致好评。

图1 HX1M040200K产品及内部电路图

绝对最大额定值（T_j=25℃）：

图2 HX1M025170K产品及内部电路图

绝对最大额定值（T_j=25℃）：

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