中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

时间： 2024-11-28 来源：macrocore semiconductor

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SiC MOSFET,SiC器件,HX1M040200K,HX1M025170K

光储充领域已成为SiC器件的第二大应用市场，仅次于新能源汽车。

光伏逆变器，作为将太阳能电池组件产生的直流电转化为交流电的关键设备，正迎来“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”的时代。随着光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，对功率器件性能要求更严苛，碳化硅因而备受瞩目。

传统硅基逆变器虽成本低，但能量损耗大。相较于硅基IGBT，SiC MOSFET损耗更低、开关速度更快，且适应恶劣环境，可延长光伏逆变器寿命。基于SiC优异的性能，SiC在光伏领域的应用逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。目前，这两款产品已在市场中大量投入使用，凭借其出色的性能和稳定性，赢得了市场的广泛认可和用户的一致好评。

图1 HX1M040200K产品及内部电路图

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图2 HX1M025170K产品及内部电路图

绝对最大额定值（T_j=25℃）：

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

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HX1M040065D	SiC MOSFET	650	33	35	77	2.7	－40℃to175℃	工业级

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型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

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