全球首张！赛思时钟系统赋能山东省确定性网络，夯实数字未来新基座

时间： 2024-12-02 来源：赛思电子公众号

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日前，习总书记对2024年世界互联网大会乌镇峰会作出携手迈进更加美好的“数字未来”的重要指示。积极响应国家政策导向，近期，赛思时钟系统赋能全球首张确定性网络项目，夯实山东省数字未来新基座。

山东省确定性网络

全球首张！网络性能国际领先

聚焦我国建设数字中国、网络强国两大关键战略任务，确定性网络的建设被列入国家“十四五规划”重点提前布局的六大前沿科技和产业变革领域之一。

山东省确定性网络是全球首张确定性网络，覆盖全省 16 个市、11800公里，实现了20μs级时延抖动、零丢包的确定性控制，网络性能达到国际领先水平，有效解决了传统网络数据传输上的拥塞、时延、抖动等痛点，实现了新一代信息技术领域的重大突破，让“互联网高铁”从虚拟构想驶入现实。

同时，依托确定性网络低时延、低抖动、低丢包率、高带宽、高可靠等技术优势，目前已联合打造了“确定性网络+智慧矿山+智慧矿井+超算算力共享+远程手术+协同制造”等一系列典型应用场景项目案例，为山东省全域的数字化转型质效，夯实了确定的、安全的网络新基座。

赛思时钟系统

提供“纳秒级”确定性保障能力

随着全球数字化的不断加深、各行业垂直应用的拓展，越来越多的应用场景需要提供极低的端到端时延，5G/5.5G通信、AI大模型、工业物联网、智能制造、自动驾驶等领域的应用则更需要网络提供低至毫秒甚至纳秒级、且更确定可靠的数据传输服务。

由于传统网络串行传输的特点和尽力而为（Best Effort）的转发机制，使得数据在端到端传输时，时延、抖动和服务质量等不可控。为赋能更为广泛的应用场景，确定性网络首先要解决的就是网络中的时钟同步与延时计算问题，以确保整个网络的任务调度具有高度一致性。

此次，山东省确定性网络使用的赛思高性能IEEE1588时钟系统，时间精度达30ns（1s=1000000000ns ），可为该项目提供“纳秒级”确定性保障能力，助力山东省的“互联网高铁”从虚拟构想驶入现实。

同时，该产品采用全冗余设计，保证了产品的安全可靠性，且全新的设计满足了EMC和RoHS环境安全要求。产品还能作为同步时钟、NTP时间服务器、IEEE 1588时间服务器和BITS设备等使用，应用于移动运营商、电力系统、广电系统、轨道交通系统、智慧医院、金融系统、民航系统、智慧城市等场景。

乘“数”而上，共筑数字未来

身处在数字化浪潮席卷全球的黄金阶段，数字化转型成为全行业不可逆转的重要趋势，各行业如何乘势而上成为关键课题。

国家推动数字化转型，时钟同步是源动力。任何数字化服务都需要基于高精度的时钟同步作底座支持，以确保各系统数据的一致性、响应的实时性和应用的安全可靠性。因此，全行业实现高精度时钟同步也是抓住国家建设数字中国、网络强国机遇，抢占未来网络制高点的必然要求。

赛思作为在时钟同步领域占据先导性、引领性地位的企业，成功形成了“时间源-授时端-用时端-时频芯片”全产业链，搭建了从核心元器件（原子钟、时钟芯片、晶振）-时钟设备（时钟同步板卡及模块、时钟同步设备）-大型时空信息统一管理平台完整的时间频率同步产品矩阵。

基于此，赛思可为全行业提供完整端到端的时钟同步解决方案，助力全行业数字化转型、智能化发展，把握好数字经济发展的“大动脉”，共筑数字未来。

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时钟发生器时钟缓冲器北斗时频同步SOC芯片 GPS时频同步SOC芯片恒温晶振多功能时频融合平台室外型PTP服务器子母钟系统电力时间同步装置 NTP时间服务器时空安全隔离装置广电时钟北斗智能分路系统综合时钟设备 GPS智能分路系统时统设备光纤/E1授时比对设备光纤双向设备北斗共视仪相位微跃仪多通道数字化频稳测试分析仪数字子钟模拟子钟授时板卡低抖动时钟发生器晶振

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型号- T2016,T3225,SW6035,VC3225,R2520,D2020,T0705,TF2012,SW5032,SW7050,T2520,LSPXO3225,QT55,SW2520,O3838,R2016,PSPXO3225,T5032,PSPXO2016,O5050,O2020,O4560,TF1610,R1612,SW3225,QT45,SW2016,O3627,O1409,O9282,QT40G,D6565,SPXO7050,SPXO2520,49B,SPXO5032,O2522,O2525,SW1210,QT31,SW1612,49S,O0907,O0705,T1409,SPXO2016,SPXO3225,D3627,TF3215

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产品型号	品类	频点（MHz）	电压(V)	封装尺寸(mm)	温度稳定度(℃)	相噪(K)	日老化(ppb)	波形
D2020ABBY-10.00MHz	时钟模组	10	3.3V	20*20	±0.2ppb@-40~85℃	≤-150@1K	≤0.5ppb	LVCMOS