【经验】与前代eGaN FET保持“相容”同时，宜普第二代增强型无铅eGaN®FET提供更优异性能
宜普电源转换公司推出一系列第二代增強型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)，所有产品均是无铅及无卤化物的元件，並符合RoHS(有害物质限制)条例的要求，其整体性能得到极大提升。
表一比较第一代与第二代40V、100V及200V eGaN FET元件的主要特性。新一代元件的性能除了表一所显示的改进外，还在多方面得到提升。
表一
EPC2001于EPC1001、EPC2007与EPC1007的比较
新一代产品在较大电流条件下具有明显更高的性能。除了在较大电流时的传导损耗较小外，新一代EPC2001、EPC2007进一步改进了在较低门极至源极电压时的RDS(ON)，因此，客户能使用EPC2001、EPC2007实现FET的低RDS(ON)性能，並且在施加的门极电压和6VVGS(MAX)之间差距更大。在极大的传导电流下所需的VGS也增加了，以減少FET的关闭时间及提高免dv/dt变化的能力。
EPC2015与EPC1015、EPC2014与EPC1014的比较
EPC2015是一种40V、33AFET，EPC2014是一种40V、10A FET。为客户提供更高工作温度。新一代产品的工作温度已从前代产品的125°C提升到150°C。与上述100V FET一样，新一代的40V产品在较大电流时具有明显更高的性能，並且针对较大的电流传导提高了VGS。新一代EPC2015、EPC2014也改进其在较低门极-源极电压时的RDS(ON)。
与上述4种元件一样，新一代的200V产品在较大电流时也具有显著更高的性能。与前代产品最大只有40A的ID相比，EPC2010具有60A的ID电流。
除了更高的额定电流值外，及在较大电流時的传导损耗较小外，新一代产品EPC2010进一步改进了在较低门极至源极电压时的RDS(ON)，因此客户能使用EPC2010实现FET的低RDS(ON)性能，並且在施加的门极电压和6VVGS(MAX)之间差距更大。在极大的传导电流下所需的VGS也增加了，以減少FET的关闭时间及提高免dv/dt变化的能力。
免dv/dt变化的能力在第二代EPC2010中也得到提升，因為米勒比有显著的改进。如表1所示，米勒比(QGD/QGS(VTH))的典型值已经从2.3下降到EPC2010的1.3。
与上述5种元件一样，新一代的200V产品在较大电流时也具有显著更高的性能。与前代产品最大只有12A的ID相比,EPC2012具有15A的ID电流。
除了更高的额定电流值外，及在较大电流时的传导损耗較小外，新一代产品EPC2012进一步改进在较低门极至源极电压时的RDS(ON)，因此客户能使用EPC2012实现FET的低RDS(ON)性能，並且在施加的门极电压和6VVGS(MAX)之间差距更大。在极大的传导电流下所需的VGS也增加了，以減少FET的关闭时间及提高免dv/dt变化的能力。
免dv/dt变化的能力在第二代EPC2012中也得到提升，因為米勒比有显著的改进。如表1所示,米勒比(QGD/QGS(VTH))的典型值已经从2.4下降到了EPC2012的1.8。
无铅eGaN FET中EPC2XXX系列技术资料，帮助工程师利用宜普产品设计最优异性能产品或解決方案，产品系列包括EPC2001、EPC2007、EPC2015、EPC2014、EPC2010及EPC2012。以下提供了在直流和瞬态操作時的热阻资料。
第二代eGaN FET的裝配考虑新一代无铅产品有三大物理变化。第一個变化是在元件表面的矽基板连接。EPC建议將基板连接到源极电位，以发挥元件的最大性能表現。
第二個变化是锡条的宽度。与代产品的250μm宽度相比，EPC2001、EPC2007、EPC2014和EPC2015的锡条宽度是200μm。与前代产品的300μm相比，EPC2010和EPC2012的锡条宽度是是250μm。
第三個变化是所有新一代产品的锡条厚度都从70μm±20增加到了100μm±20。更厚的锡条增加裝配后FET和PCB之间的间隙，方便清除異物及避免积聚有害微粒。
新一代eGaN FET都是无铅及无卤化物的元件，不仅提高了电气性能，并配合新增的支援文档，有助系統工程师更快及更轻松地设计基于前沿eGaN FET的新产品。宜普新一代产品与它的前代eGaN FET保持“相容”。
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