【应用】1200V的SiC二极管G3S12020B用于充电桩，可以大幅度提高充电效率
充电桩的电路架构如下图1所示，由整流升压部分、LLC全桥及输出整流组成。充电桩的整流升压部分，大多数客户采用维也纳拓扑结构，需要使用大量的分立二极管和开关管搭建，考虑到二极管的反向恢复损耗，而SiC二极管具有零反向恢复电流及零正向恢复电压，使得反向恢复损耗几乎没有，所以这部分电路中的二极管选用1200V的SiC二极管，可以极大地提高充电桩效率。
图1：充电桩电流架构
图2：G3S12020B主要参数及封装
国产品牌泰科天润推出的G3S12020B耐压值高达1200V，单管电流为10A，常温下的正向平均电流高达25A，电气参数上可以满足20KW~30KW的充电桩选型需求。目前SiC二极管以国外品牌为主，存在价格高，交期长等问题。而泰科天润的G3S12020B在与其它品牌的SiC二极管性能封装兼容的情况下，满足更高的性价比，提供更好的交期，是充电桩客户的不二选择。
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泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices
型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U
【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
目录- SiC碳化硅肖特基二极管
型号- G4S06520BT,G5S6506Z,G5S12016B,G4S06508HT,G3S06510C,G3S06510D,G3S06510A,G4S12020D,G3S06510B,G5S12015P,G3S17050PM,G3S12003R,G4S06506CT,G5S06508AT,G5S12015A,G5S12015D,G4S6508Z,G3S12003A,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S12003H,G5S12020PM,G3S06520L,G5S06510PT,G3S06520H,G5S12002R,G3S06550PM,G3S12002R,G3S06520P,G5S12015PM,G4S06508JT,G5S6504Z,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06520B,G3S12002D,G5S06508PT,G3S06520A,G5S12030PP,G3S12002H,G5S12016BM,G3S06540PP,G3S12010BM,G4S06516BT,G5S12005A,G4S06530BT,G5S12005C,G4S06503AT,G5S12005D,G5S06508QT,G5S12005H,G4S06510HT,G3S06530L,G6S12040BT,G4S06515AT,G5S12020BM,G3S06530P,G3S06502A,G1S33005P,G4S06510AT,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,G3S06502D,G3S06502C,G5S12010PM,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S06502CT,GAS06520A,G4S06515LT,G3S12010H,GAS06520H,G4H06510HT,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G5S12010M,G3S17020B,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,GAS06520L,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S12002C,G5S12002A,G4S06506RT,G3S12010A,G5S12002D,G3S12010B,G3S12010C,G4S12010LM,G3S12010D,G5S12002H,G3S06512B,G5S12010BM,G4S06510DT,G5S06502AT,G3S06510M,G3S06510K,G3S06510L,G3S06510J,G3S12020L,G4S12040BM,G3S06510H,G5S12030PPM,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06510R,G3S06510P,G3S12020U,G3S06506D,G53YT,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G5S12050PM,G3S06506J,G3S12020A,G5S12020A,G3S06506H,G3S12020B,G1S33001P,G5S12020D,G3S06505R,G3S06520PM,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G3S06505A,G5S06504CT,G1S3300.6P,G5S06510HT,G4S06508QT,G3S06505H,G3S06504R,G3S06560B,GAS06540B,G5S12040BM,G52YT,G4S12010PM,G3S06504C,G3S06504A,G3S06516B,G5S06508HT,G1S33003P,G5S06520BT,G3S06504J,G5S12010C,G5S12010D,G3S06504H,G5S12010A,G4S06508RT,G3S06504D,G3S06503R,G3S065100P,G4S06508AT,G5S06506CT,G51XT,G5S06505AT,G3S06503A,G1S33002P,G6S12020PT,G3S12040PP,G5S12008PM,G4H06510AT,G3S06503H,G5S06504QT,G3S06503C,G3S06503D,G5S12020H,G4S06510PT,G5S12040PPM,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06502R,G5S12008D,G4S06506HT,G5S12008C,G5S12008H,G4S06515CT,G5S06510CT,G5S12008M,G3S06530A,G5S12008P,G3S12040B,G5S12040B,G4S06540PT,G5S12030BM,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,G4S06515DT,G5S06510DT,G4S06503CT,G5S06520AT,G4S06510JT,G3S17005C,G3S17005A,G3S06508R,G4S12020BM,G5S12050P,G3S12050P,G5S06510AT,G3S06508D,G3S06508C,G3S06508A,G3S06540B,G5S12030B,G3S06508J,G3S06508H,G5S06510QT,G3S12005P,G3S12005R,G5S06508CT,G4S12020PM,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G5S12040PP,G5S06506QT,G3S06506U,G3S06506R,G3S06530PM,G3S06550P,G5S06508DT
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型，覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等，覆盖常规功率段，晶圆尺寸：4寸/6寸，VRRM(V)：650V-3300V。
|
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
SLKOR（萨科微）功率器件/二极管/三极管/电源管理芯片/霍尔传感器/光耦选型指南
目录- 公司简介 场效应管/IGBT单管 单向/双向可控硅 稳压二极管 三极管 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥 霍尔传感器 光耦 石英晶体谐振器
型号- BZT52C43S,SS110,MCR00-8,SMCJ440CA,SL11N65CF,MC34063S,ZMM200,PC817,SL2310,SL3400,SL1629SH,SL252030MXXX,RS1A,RS1M,DB107S,GBU4005,1N4148WS,SMF5.0CA,DSK32,SL40T120FL,SL1625SH,MMBT4401,LM317,SL36N120A,SL75T65FL,SL50328MXXX,MMSZ5259B,SL22N120A,SL2301,BT151,GBP210,SL2302,BT169D,SL49SM8M20P-20,1SMB5921B,SL1613SH,S2MF,SL49SM12M20P-20,2N7002,SL201624MXXX,BTA26-800,SL322540MXXX,S3AB,SL4949,GBU610,BFG520,SL252016MXXX,BZT52B2V4,BZT52B43,SL1605SH,ZM4727,1SMA4777A,SL1609SH,BTA41-800,GBU6005,SL21N65CF,SL25T120FL,BTA24-800,SD05C,SL4275,ULN2003,SL1613TH,ES2A,SS525,6N137,6N136,SL15N65CF,WE05DF-BS,ULN2803,BT138-800,2SC3357,SL78LXX,LM2575,6N135,ZMM2V0,LM2576,BZT52C2V4S,US1A,SMF5.0A,SMAJ170A,SL10N120A,S5MB,RS2A,RS2M,MMBT5551,US1M,SL80N120A,S8550,S2AF,SMBJ5.0C,M1,SS22,BSS123,M7,SS310,ABS210,MMBT3904,MMBT3906,SMF58CA,BT137-800,MM1Z39B,ABS201,SMCJ440A,SMAJ5.0CA,BTA12-600,BAV99,SS32,SMBJ5.0,SL1623SH,SMBJ170CA,SL201612MXXX,BSS138,SL322512MXXX,1SMB5956B,ES2J,FR101,SS12,SL3N170AP,1SS181,FR107,SMF58A,78MXX,SL50T65FL,SM15C,SL1619SH,LL4148,MM1Z2V2B,SMAJ5.0A,MMBTA05,SL14N120A,BC817,SS8050,DB201S,SL1615SH,S1A,LM321,S5AB,SMCJ5.0CA,DSK310,GBU410,SS210,BCP51,SL40T65FL,BCP53,S8050,S1M,B772,SMBJ170A,SL28N65A,MMBT2222A,SLM601,BTA16-800,AMS1117-XX,ZM4761,TL431,SS52,NUP2105LT1G,DB101S,SL322524MXXX,SL1603SH,IRF640,SD12C,S9013,GBP2005,SL3407,BZT52C39,SL7N65CD,SMCJ5.0A,BZT52C2V4,SL50N120A,S3MB,MMSZ5221B,SS8550,SL3415,SMAJ170CA,GBLC05CI,BAV21W,DB207S,LM358S,SL80N65CT,1SMA4728A
泰科天润（GPT)SiC碳化硅产品及公司介绍
描述- 这份资料主要介绍了碳化硅（SiC）元器件在电力电子领域的应用和发展趋势。内容包括SiC BJT、SiC MOSFET等产品的技术参数、封装类型、市场趋势以及相关认证标准。资料还涉及了SiC元器件在电力电子领域的应用案例和未来发展方向。
型号- G3S06506D,G3S06502A,G3S06506B,G3S06506C,G3S06506A,G3S12004B,G3S06502H,G3S17010A,G3S06550B,G3S06530A,G3S06506J,G3S06510C,G3S06530B,G3S06510D,G3S12020A,G3S06510A,G3S06506H,G3S06502D,G3S12020B,G3S06510B,G3S12040B,G3S06502C,G3S06505C,G3S06505D,G3S06505A,G3S12015A,G3S12003A,G3S12015B,G3S12003C,G3S12003D,G3S06505J,G3S12015H,G3S17005B,G3S06505H,G3S065100B,G3S12003H,G3S17005A,G3S12010H,G3S06560B,G3S12020,G3S06504B,G3S06504C,G3S06508D,G3S06504A,G3S06516B,G3S06508B,G3S06508C,G3S06508A,G3S12002A,G3S06504J,G3S06540B,G3S06520E,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12010A,G3S12002D,G3S12010B,G3S06508J,G3S12010C,G3S06520A,G3S12030B,G3S06508H,G3S06504D,G3S12002H,G3S06512B,G3S12050B,G3S06530,G3S06503A,G3S12005A,G3S12005C,G3S12005D,G3S06503J,G3S06503H,G3S12005H,G3S06503C,G3S06503D,G3S12020H,G3S06510J,G3S06510H,G3S17010B
G3S12020B 1200V/20A碳化硅功率肖特基势垒二极管
描述- 本资料介绍了G3S12020B型碳化硅肖特基势垒二极管。该器件具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、温度独立开关行为和高频操作等特点，适用于各种电源管理、电机驱动和可再生能源系统。
型号- G3S12020B
G3S12020B 1200V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 产品规格书
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G3S12020B碳化硅肖特基功率二极管的产品特性。该产品具有正温度系数，不受温度影响的开关特性，适用于开关模式电源、电机驱动等领域。
型号- G3S12020B
【产品】1200V/20A国产碳化硅肖特基功率二极管G3S12020B
G3S12020B是国产厂商泰科天润推出的1200V/20A碳化硅肖特基功率二极管，该产品采用TO-247封装，为单级器件，极大降低了开关损耗，并联器件中没有热崩溃，同时降低系统对散热片的依赖。主要应用于开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC)，电机驱动，光伏逆变器，不间断电源，风力发动机，列车牵引系统，电动汽车等领域。
G3S12020B 1200V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 数据手册
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G3S12020B碳化硅肖特基功率二极管的产品特性、技术参数和应用领域。该产品具有正温度系数、零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关模式电源、电机驱动等领域。
型号- G3S12020B
在设计充电桩电源模块时，输出电压为750V，输出整流二极管采用SiC二极管性能良好，但价格太高，请帮忙推荐合适的二极管可以满足低损耗、低成本的需求？
充电桩电源模块的LLC电路开关频率在100kHz~300kHz，常规的整流二极管开关损耗太大。采用SiC二级管开关损耗很低，但成本过高。推荐采用KYOCERA新 推出的30A/1200V的快恢复二极管，其反向恢复时间只有50us，可以有效降低开关损耗，减少温升的同时降低成本。
充电桩CNAS报告的办理步骤及费用相关信息
充电桩CNAS报告的办理涉及选择具有相应资质的第三方检测机构，并按照规定的流程完成一系列测试，以确保产品符合国家和行业标准。本文全球通检测来给大家分享详细的办理步骤及费用相关信息。
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