【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计，可实现300KHz开关频率
双向的OBC的拓扑如图1所示，主拓扑全部采用功率器件SiC MOSFET设计，通过程序逻辑控制，实现正常充电时的AC输入DC输出以及应急需求时的DC输入AC输出的设计。
图1：双向OBC拓扑图
本文推荐LITTELFUSE的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160，耐压1200V，导通电阻160mΩ，助力该双向OBC产品设计。
LSIC1MO120E0160主要参数：
图2：LSIC1MO120E0160的示意图和TO-247-3L封装实物图
OBC对体积要求非的高，LSIC1MO120E0160可实现300KHz的开关频率，设计时可减小变压器体积，实现OBC小型化需求，此外产品本身具有高可靠性：
1：下图为HTRB测试数据。LSIC1MO120E0160的在1000小时的Vbr电压实测都是稳定在1400-1700V之间，远超1200V的标称规格，产品实际应用中耐压裕量大。对于三相供电的OBC设计，采用LSIC1MO120E0160的耐压裕量非常充足。
2：下图为可靠性HTGB测试。LSIC1MO120E0160的在1000小时的测试中无论Vgs= -10V 还是+25V，阈值电压实测都是稳定在3-4V之间，HTGB测试数据正常，产品稳定性高。
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luck Lv7. 资深专家 2022-03-18学习了 -
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Jerrfy Lv9. 科学家 2021-01-30双向可替代 -
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冷若冰 Lv7. 资深专家 2021-01-14好产品
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