【产品】100A/40V N沟道功率MOSFET DI100N04D1， 漏源导通电阻典型值低至3.2mΩ
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI100N04D1的N沟道功率MOSFET，器件采用TO-252AA封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点。电气参数方面，漏源电压为40V（VGS=0V），栅源电压为±20V，耗散功率为69W（TC=25℃），允许通过的漏极持续电流为100A（TC=25℃ ），漏极峰值电流为450A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业/工业级应用等领域。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征
采用先进的沟道技术
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩能量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
同步整流器
商业/工业级应用
产品型号后缀-AQ表示符合AEC-Q101认证（DI100N04D1-AQ）
机械参数
编带和卷盘包装：2500/13”
重量约0.32 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值
电气特性
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