【产品】100A/40V N沟道功率MOSFET DI100N04D1， 漏源导通电阻典型值低至3.2mΩ
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI100N04D1的N沟道功率MOSFET，器件采用TO-252AA封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点。电气参数方面，漏源电压为40V（VGS=0V），栅源电压为±20V，耗散功率为69W（TC=25℃），允许通过的漏极持续电流为100A（TC=25℃ ），漏极峰值电流为450A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业/工业级应用等领域。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征
采用先进的沟道技术
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩能量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
同步整流器
商业/工业级应用
产品型号后缀-AQ表示符合AEC-Q101认证（DI100N04D1-AQ）
机械参数
编带和卷盘包装：2500/13”
重量约0.32 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值
电气特性
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
|
0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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