【产品】最大为600V/2A的N沟道功率MOSFET,阻燃性能好
日本新电元(SHINDENGEN)公司推出了一款高性能N沟道MOSFET——P2FE60VX5K,相对于P沟道MOS管,导通电阻更小,并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为600.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为2.0A,所用的框架和引脚采用无缝焊接技术锻造而成,拥有更好的包封和阻燃性能。具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点,广泛使用于驱动器,电机控制,电源转换器电路等应用。
采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FE,是一款具体尺寸为9.5mm(W)X6.6mm(H)X2.65mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。
图1 P2FE60VX5K外部视图
P2FE60VX5K的最大栅极/源极电压VGSS为±30V,最大总耗散功率Pt为27.0W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为3.4Ω,最高沟道温度Tch为150.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为12.0nC。
图2 P2FE60VX5K典型输出特性及转移特性曲线
P2FE60VX5K的主要特点:
• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为600.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±30V
• 最大漏极持续电流(DC)Id为2.0A,最大总耗散功率Pt为27.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为3.4Ω
• 最高沟道温度Tch为150.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为12.0nC
• 采用FE封装, 尺寸大小为9.5mm(W)X6.6mm(H)X2.65mm(D)
P2FE60VX5K的典型应用:
• 驱动器
• 电机控制
• 电源转换器电路
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由穿山甲说翻译自Shindengen,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】280V N沟道功率MOS管,较P沟道MOS管导通电阻更小
日本新电元(Shindengen)公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2,最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为280.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为13.0/17.0/21.0A,静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关,继电器驱动,电源转换器电路等应用。
新产品 发布时间 : 2018-05-05
【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04,漏源电压40V,连续漏极电流25A
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度,经过100%的UIS测试和Rg测试,适用于DC-DC转换等。
新产品 发布时间 : 2020-06-28
【产品】一款雪崩击穿电压可达600V的MOS管,导通电阻仅为0.54Ω
F7F60C3M是新电元公司推出的一款性能优异的面向开关电源的N沟道金属氧化物场效应晶体管,具有高电压、高切换速度、低静态导通电阻的特点,是设计中大功率开关电源的理想选择。
新产品 发布时间 : 2018-05-02
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ, 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET,器件采用QFN5x6薄型封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-05-26
【应用】导通电阻低至8.5mΩ的功率MOSFET P40F10SN如何适用于地铁屏蔽门150W直流无刷电机逆变设计?
为实现对地铁屏蔽门150W直流无刷电机驱动控制,其逆变单元一般需要至少72V/30A功率MOSFET做逆变,推荐选用Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN,FTO-220AG(3pin)封装,规格为100V/40A,低至8.5mΩ典型导通电阻,总栅极电荷Qg典型值仅为92nC,反向传输电容Crss典型值为205pF,可满足市场上大功率快速开关设计需求。
应用方案 发布时间 : 2018-11-22
【产品】75V,70A的N沟道功率MOSFET P70F7R5EN,导通电阻仅3.8mΩ
Shindengen(新电元)半导体公司推出了一款型号为P70F7R5EN适用于开关电源的N沟道MOSFET,10V栅极驱动,具有绝缘封装、低导通电阻、低电容的特点。可应用于DC-DC转换,继电器驱动,电源转换器电路等应用。
新产品 发布时间 : 2018-05-03
【产品】DFN5* 6mm封装,100V/74A N沟道功率MOSFET PL0807N10
PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装,经过100%的UIS测试,100%的Rg测试,安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。
新产品 发布时间 : 2020-07-04
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论