【产品】采用先进的沟槽工艺技术的双N沟道增强型功率MOSFET 4502，具有优异的漏源导通电阻
诚芯微推出的型号为4502的双N沟道增强型功率MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
器件特征
RDS(ON)<22mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V
器件具有高功率和高电流处理能力
无铅认证器件
表面贴装器件
器件应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有标注）
电气参数（TA=25℃，除非另有标注）
Note：
1.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
2.RθJA是结到外壳和外壳到环境热阻的总和，其中外壳热基准定义为漏极引脚的焊料贴装表面；
RθJC由设计保证，而RθCA由客户的PCB板设计决定；
RθJA如下所示，用于静止空气中工作在FR-4板材的单器件。
典型的电气和热特性
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品牌：NCE
品类：Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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