【产品】P沟道增强型MOSFET AM4185,漏源极电压-40V,栅源极电压±25V
AIT公司的P沟道增强型MOSFET AM4185,该系列器件坚固耐用,提供TO-220F封装,100%UIS+ RG测试,漏源极电压-40V,栅源极电压±25V。
订购信息:
特征:
①-40V/-36A,
RDS(ON)= 17mΩ(max.) @ VGS=-10V
RDS(ON)= 25mΩ(max.) @ VGS=-4.5V
②100%UIS+ Rg测试
③坚固耐用
④提供TO-220F封装
应用领域:
①液晶电视逆变器的电源管理。
典型应用:
图1
引脚说明:
图2
绝对最大额定参数(TA = 25°C,除非另有说明):
电气特性(TA = 25°C,除非另有说明):
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