【产品】P沟道增强型MOSFET AM4185，漏源极电压-40V，栅源极电压±25V
AIT公司的P沟道增强型MOSFET AM4185，该系列器件坚固耐用，提供TO-220F封装，100％UIS+ RG测试，漏源极电压-40V，栅源极电压±25V。
订购信息：
特征：
①-40V/-36A,
RDS(ON)= 17mΩ(max.) @ VGS=-10V
RDS(ON)= 25mΩ(max.) @ VGS=-4.5V
②100％UIS+ Rg测试
③坚固耐用
④提供TO-220F封装
应用领域：
①液晶电视逆变器的电源管理。
典型应用：
图1
引脚说明：
图2
绝对最大额定参数（TA = 25°C,除非另有说明）：
电气特性（TA = 25°C,除非另有说明）：
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