HI-SEMICON MOSFET用于提高PC电源效率，更快开关速度、更低导通损耗、极低栅极电荷
PC电源又称电脑电源，是电脑各部件供电的枢纽，是电脑的重要组成部分。主要作用是将220V交流电（全球不同国家电压不同，做到80V-264Vac全球通用）变换为+5VSB、+5V、+12V、-12V、+3.3V等稳定可靠的直流电源，供给主机箱内的系统板、各种适配器和扩展卡、 硬盘驱动器 、光盘驱动器等系统部件及键盘和鼠标使用，具有体积小，效率高等优点，同时兼有过流（OCP）、过压（OVP）、过温（OTP）保护。
正激式PC电源介绍
正激式开关电源在硬开关应用中有单管正激和双管正激两种。
单管正激，由于变压器需要增加额外的磁复位绕组，在主开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力。
双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作频率不高，也不会出现过大的冲击电流，对MOS管的要求相对宽松，每个MOS理论上的电压为直流母线电压，同时Rdson较小，可进一步提高效率，通常应用于计算机主电源，中等功率通信电源，变频器等辅助电源。
HI-SEMICON MOSFET在PC电源市场应用，具备更快的开关速度，更低的导通损耗，还拥有极低的栅极电荷（Qg）。意味着公司的产品能在保障稳定性能的同时，显著降低器件的功率损耗，从而提高整个系统的效率。
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HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
MOS管输出特性曲线，你看明白了吗？
我们知道，三极管是利用IB的电流去控制电流IC的，所以说三极管是电流控制电流的器件。而MOS管是利用VGS的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。对于N沟道增强型的MOS管，当VGS＞VGS(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
【经验】超级结MOSFET在电源上的应用优点及问题
COOLMOS的前世今生COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法，所以一直叫COOLMOS，也叫超结MOS。COLLMOS在电源上应用的优点有通态阻抗小，通态损耗小、同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高、棚电荷小，对电路的驱动能力要求降低、节电容小，开关速度加快，开关损耗小。
【技术】MOSFET规格书参数详解
极限参数HI-SEMICON极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。本文对MOSFET规格书参数进行详细讲解。
HRS49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了HRS49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性、关键参数、电气特性、热阻特性、应用领域等详细信息。该MOSFET适用于同步整流、硬开关和高速电路，以及电信和工业领域的DC/DC转换。
型号- HRS49N08
【经验】各种开关电源MOS管驱动电路设计详解
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。本文介绍MOS管种类和结构，以及几个模块电源中常用的MOS管驱动电路。
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HRLP49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了HRLP49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性，包括其关键参数、电气特性、热阻特性、典型特性曲线等，适用于同步整流、硬开关和高速电路等应用。
型号- HRLP49N08
深鸿盛PDFN5*6 CLIP封装的30V/0.5mΩ超低内阻低压MOS，适用于无人机、BMS等领域 ｜视频
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HRLF49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料详细介绍了HRLF49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性，包括其关键参数、电气特性、热阻特性、开关特性、典型特性曲线等，并说明了其在同步整流、硬开关和高速电路、电信和工业领域的应用。
型号- HRLF49N08
【技术】MOS管栅极、源极、漏极的定义及判定测试方法
本文深鸿盛电子带大家了解MOS管三个极定义及判断测试方法。MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻。
HI-SEMICON中低压功率MOSFET选型表
HI-SEMICON提供中低压功率MOSFET以下参数选型，VDS[max] (V)：-200~200V，ID[max](25℃) (A)：-140~450A
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产品型号
|
品类
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Package
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Channel
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VDS[max] (V)
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VGS(V)
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ID[max](25℃) (A)
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PD[25℃] (W)
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VGS(th)[min] (V)
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VGS(th)[max] (V)
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RDS(on)[typ] (@4.5V) (Ω)
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Ciss(typ)(pF)
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QG[typ](nC)
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SFS2302B
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中低压功率MOSFETs
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SOT-23-3L
|
N
|
20
|
±10
|
2.8
|
0.35
|
0.55
|
1.2
|
45
|
286
|
32.8
|
选型表 - HI-SEMICON 立即选型
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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