中瑞宏芯基于第二代SiC MOSFET技术推出1200V 20/30mΩ低开关损耗产品,专为高频、高效应用开发

2024-12-04 macrocore semiconductor
SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,HX2M020120K,HX2M030120K SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,HX2M020120K,HX2M030120K SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,HX2M020120K,HX2M030120K SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,HX2M020120K,HX2M030120K

在这个能源效率至上的时代,高频、高效应用领域对电力电子器件提出了更高的要求。碳化硅(SiC)MOSFET,作为一种新型的半导体功率器件,正逐渐成为这些应用领域的明星产品。其出色的高温特性、极低的损耗、高电压承受能力,以及卓越的高频工作能力,使得它能够在电力转换与控制系统中实现更高的效率和更小的体积。特别是在大功率充电桩、光伏逆变器、储能系统以及电机驱动等领域,碳化硅MOSFET的应用正在带来革命性的变革。

 

中瑞宏芯(Macrocore)针对大功率充电桩、电机驱动等开关频率高、功率大的应用需求,基于第二代SiC MOSFET技术,开发了1200V 20mΩ,1200V 30mΩ低开关损耗产品。


图1 HX2M020120K产品及内部电路图

   

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图2 HX2M030120K产品及内部电路图 

 

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产品优势:

Qg更低,FOM系数更优秀

导通电阻温度系数1.6,优于行业水平;

采用特定的元胞设计、低比导通电阻;

低开关损耗,可工作在高开关频率场合

 

应用场景:

大功率充电桩

光伏逆变器

储能系统

电机驱动


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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