中瑞宏芯基于第二代SiC MOSFET技术推出1200V 20/30mΩ低开关损耗产品，专为高频、高效应用开发

时间： 2024-12-04 来源：macrocore semiconductor

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SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,HX2M020120K,HX2M030120K

在这个能源效率至上的时代，高频、高效应用领域对电力电子器件提出了更高的要求。碳化硅（SiC）MOSFET，作为一种新型的半导体功率器件，正逐渐成为这些应用领域的明星产品。其出色的高温特性、极低的损耗、高电压承受能力，以及卓越的高频工作能力，使得它能够在电力转换与控制系统中实现更高的效率和更小的体积。特别是在大功率充电桩、光伏逆变器、储能系统以及电机驱动等领域，碳化硅MOSFET的应用正在带来革命性的变革。

中瑞宏芯（Macrocore）针对大功率充电桩、电机驱动等开关频率高、功率大的应用需求，基于第二代SiC MOSFET技术，开发了1200V 20mΩ，1200V 30mΩ低开关损耗产品。

图1 HX2M020120K产品及内部电路图

Maximum ratings (T_j=25℃ unless otherwise specified)

图2 HX2M030120K产品及内部电路图

Maximum ratings (T_j=25℃ unless otherwise specified)

产品优势：

Qg更低，FOM系数更优秀

导通电阻温度系数1.6，优于行业水平；

采用特定的元胞设计、低比导通电阻；

低开关损耗，可工作在高开关频率场合

应用场景：

大功率充电桩

光伏逆变器

储能系统

电机驱动

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