合科泰双NMOS管AO4852能承受最大漏源电压60V，栅源电压±20V，可用于众多智能家电产品中

时间： 2024-12-07 来源：合科泰半导体公众号

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智能家电逐渐成为很多家庭必备产品，很多产品除了具有高度智慧思考能力、物联网连接能力外，产品还具有安全、可靠且稳定等特点，而好的智能家电产品通常需要几颗MOS产品实现对电路的保护及驱动。本期，合科泰给大家介绍一款性能强大的双NMOS管 AO4852，在电机驱动和音频放大等方面具有广泛应用。

合科泰生产的双NMOS管AO4852具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压60V，栅源电压±20V，连续漏极电流3A，漏源导通电阻0.09欧姆，最小栅极阈值电压1.7V, 最大栅极阈值电压2.6V，耗散功率1400mW。它具有高耐压耐流能力，产品开关速度快，工作效率高，使用时间长，产品栅极阈值电压低，在很多家电类产品中广泛应用。双NMOS管由两个NMOS晶体管组成，产品故障率较低，可靠性较高，适用于对稳定性要求较高的电子设备。

AO4852采用SOP-8封装形式，产品的尺寸小巧，非常轻薄，适合放置在尺寸较小的产品中，产品设计简洁。芯片体积小，内阻较小，功耗低，适用于低功耗场景。产品8个引脚，非常方便且应用广，高度集成，使用效率高，可靠性高，引脚间距适中，适合于自动化装配，便于高速表面贴装技术，适用于大规模生产‌。由于其体积小、功耗低、易于集成等特点，SOP-8封装芯片被广泛应用于各种尺寸小的语音及音频应用产品中，如智能音箱、智能电风扇、智能茶壶、智能电饭煲等智能家居设备产品中。

作为一款双NMOS管，其应用场景非常之广阔。例如在开关电源中，它可以为电路提供高效的功率转换和电流控制。其低RDS(ON)值使得在导通状态下功耗较小，有助于提高电源效率。在电池管理系统中，AO4852可以精确控制电池的充放电过程，保护电池免受过充、过放等损害，延长电池使用寿命。它非常适合用于电动工具的电机驱动模块，如电钻、电锤、电风扇等产品。在这些应用中，它能够提供稳定的电流和电压输出，确保电机的正常运转。

还有。在电池管理系统中，它可以用于监控和控制电池的充放电过程，确保电池的安全和高效运行。在工业自动化系统中，它可用于电源管理模块中，提供稳定的电源电压和保护电路免受过流、过压等异常情况的影响。

还可以用于通信和计算机设备中的电源管理、信号放大和传输等部分。在音频放大器设计中，也可以利用其特性来实现信号的放大和处理。

作为一款耐压能力优异且具备高速开关性能的产品，其在开关电路和稳压电路上表现出色，产品的稳定性得到了很多客户及具体应用场景验证，是一款不错的MOS管电子元器件产品。

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

合科泰电子 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

虹美功率半导体特色产品介绍

描述- 深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。

型号- HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM1N60RPR,HM30SDN02D,HM8205,HM2819D,HM06DP10Q,HM4889,HMS100N15,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM4618D,HM3N30R,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HMC15N6D,HM2809D,HMC6N65K,HM8810E,HM8810D,HM4618Q,HM8810Q,HMS100N20D,HMC6N65Q,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HM8205D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMS80N10,HMC20N65D,HM25P15K,HM3N100,HMS80N85K,HMC20N65,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HM9926,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM8205A,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HMC2N65,HM5P15D,HM2302BKR,HM08DN10D,HMS320N04LL,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HMN9N65D,HM4489,HMN11N65D,HM2N50PR,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HM4N60R,HM2310DR,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HMS80N25D,HM3DN10D,HMS20N80D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HM18SDN04D,HMS5N70R,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HM2300DR,HMS100N85,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HMC15N6T2,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM40SDN02Q,HMS135N10G,HMG20N65,HMS135N10D,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10K,HMS80N10G,HM2301BJR,BSS138DW,HMS135N85D,HM2301DR,HMS15N80F,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HM7002KR,HMS7N80I,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HM2803D,HMS120N85G,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMC20N120,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2

20230219 - 虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍 - 20230219版代理服务技术支持批量订货

合科泰电子混合MOSFET选型表

合科泰电子提供混合MOSFET以下参数选型，漏源电压-40V~75V，连续漏极电流-7A~11A

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	漏源电压 VDS(V)	栅源电压 VGS±(V)	连续漏极电流 ID(A)	漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)	栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)	棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)	耗散功率 PD(mW)
8205	混合MOSFET	TSSOP-8	N + N	20	4.5	5	0.025	0.5	1	2000