【产品】100V N沟道增强型场效应晶体管YJQ40G10A，可用于消费电子电源和逆变器等领域
扬杰科技推出的YJQ40G10A型N沟道增强型场效应晶体管，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流可达40A；器件的脉冲漏极电流最大额定值为160A。器件采用DFN3.3X3.3封装，散热性能好，利用先进的分离栅沟槽MOSFET技术 ，符合RoHS标准。产品可用于消费电子电源,电机控制,同步整流,隔离的DC / DC转换器,逆变器等领域。
此外，器件在Tc= 25℃条件下的总功耗最大额定值为54W。器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。器件的稳态结至环境热阻典型值为50℃/W，稳态结壳热阻典型值为1.8℃/W。
图1 产品外观和内部电路图
产品特征如下：
漏源电压最大额定值为100V
漏极电流（Tc = 25℃）可达40A
高密度单元设计，实现低漏源导通电阻RDS（ON）：
静态漏源导通电阻不超过18.5mΩ（VGS=10V）;
静态漏源导通电阻不超过22.5mΩ（VGS=4.5V）;
分离栅沟槽MOSFET技术
DFN3.3X3.3封装，散热性能好
应用：
●消费电子电源
●电机控制
●同步整流
●隔离的DC / DC转换器
●逆变器
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