【产品】高带宽和高性能存储器系统应用必选DDR SDRAM

时间： 2017-04-25 来源：世强

技术问答

——512Mb的同步动态随机存取存储器，采用双倍数据率架构

AS4C32M16MD1A是一款536、870、912bits的双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM）。该存储器采用ALLIANCE Memory高性能CMOS技术制造，系统容量为512Mb。与普通设备相比，双倍数据速率架构的应用使得该芯片具有实现高速操作的能力。

AS4C32M16MD1A采用在I/O引脚的每个时钟周期内传送两个数据字的2n预存取架构，有效提升了数据存取效率。该芯片的最高时钟频率为200MHz，具有自动温度补偿自刷新特性（ATCSR），在更低的环境温度下能最小化功率消耗。优异的系统性能，使其可用于各种高带宽和高性能存储器系统应用。

AS4C32M16MD1A采用60球FPBGA封装，封装尺寸仅为8mm x 9mm，工作温度范围为-25°C~+85℃，工作电压为1.7~1.95V。

主要特性：
• 容量512Mb
• 电源电压：VDD/VDDQ=1.7V~1.95V
• 突发长度：2，4，8或16
• 突发类型：顺序或交错
• 支持深度省电模式
• 差分时钟：CK&CK#
• 工作温度：-25~+85℃
• 时钟频率：200MHz
• 部分阵列的自刷新
• 自动温度补偿自刷新
• 可编程输出缓冲驱动强度
• 采用60球FPBGA封装，尺寸8mmx9mm

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NaOH Lv6. 高级专家 2018-08-17

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用户18396822 Lv8 2018-06-21

不错
一血 Lv4. 资深工程师 2018-01-28

学习
饮水者 Lv8. 研究员 2017-09-29

支持

小小娃 Lv5. 技术专家 2017-09-16

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