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蓉矽1200V 30A SiC EJBS™（NC1D120C30KT）应用于40kW单向充电桩模块，整机损耗降低180W
蓉矽碳化硅二极管EJBS™产品采用PiN与SBD的复合结构，具有高抗浪涌电流能力、低反向漏电（Tj=25℃时，IR=11μA）、低正向导通压降（Tj=25℃时VF=1.41V）、零反向恢复电流、最高工作结温达175℃等优势。本次测试中，采用蓉矽NC1D120C30KT SiC EJBS™产品替换原机UFRD，整机损耗降低最高可达180W。
【应用】蓉矽半导体公司SiC产品目标应用——新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、开关电源 ∣视频
SiC产品目标应用及技术介绍。
40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度
KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
NOVUSEM碳化硅二极管EJBS单管/晶圆选型表
NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅二极管EJBS单管/晶圆参数选型：反向漏电流(typ)(uA)：3~30uA；正向浪涌峰值电流(typ)(A)：118~500A；阻断电压达1200V。
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产品型号
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品类
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额定电压(V)
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额定电流(A)
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次代
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正向电压(typ)(V)
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反向漏电流(typ)(uA)
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正向浪涌峰值电流(typ)(A)
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QC(typ)(nC）
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PTOT（W）
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封装
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可靠性
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NC1D120C10AT
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碳化硅EJBS单管
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1200V
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10A
|
Gen 1
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1.39V
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3uA
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118A
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55nC
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208W
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TO-220-2
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Industrial
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选型表 - NOVUSEM 立即选型
蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™产品以及解决方案，亮相2024年慕尼黑上海电子展
7月10日，2024年慕尼黑上海电子展在新国际博览中心落下帷幕。蓉矽半导体携碳化硅MOSFET/二极管EJBS™以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案亮相展会，吸引了一众行业人士驻足交流。
NOVUSEM（蓉矽）碳化硅和硅基产品选型指南
描述- 蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有 150℃高结温的理想二极管 MCR® (MOS-Controlled Rectifier)及 FRMOS (Fast Recovery MOS-FET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
型号- NC1M120C75GT,NC2M120C75GT,NC1D120C20AT,NC1M120C40GTD,NCD30S20TTD,NDM60S7TT
蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展，重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日，上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位，重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
蓉矽半导体邀您共聚SEMI-e 2024第六届深圳国际半导体展
蓉矽半导体拥有高性价比的NovuSiC®(工业级)和高可靠性的DuraSiC®(车规级)碳化硅MOSFET、碳化硅二极管(EJBSTM)以及碳化硅模块(NovuPower®)产品。产品广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
NOVUSEM（蓉矽）MOSFET/EJBS/MCR分立器件选型表（中文）
目录- 4H-SiC MOSFET 4H-SiC EJBS MCR Bare Die
型号- NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NC1M120C75WU,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NC1M120C75GT,NCD30S20TTDL,NC1M120C75W,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NE1M120C40GT,NE1M120C75HTU,NC1D120C20KT,NE1M120C12W,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NCD15S30TTD,NE1M120C75W,NC1D120C20W,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NE1M120C75WU,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NC1M120C75HTU,NE1M120C75GT,NE1D120C30KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT
蓉矽半导体邀您参加慕尼黑上海电子展！
慕尼黑上海电子展(electronica China)将于2024年7月8-10日在上海新国际博览中心举办。展会聚焦新能源汽车、储能、第三代半导体等应用领域，紧跟行业重点，汇聚了国内外优质电子企业加入。蓉矽半导体将在E3馆3646号展示第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案，诚邀您莅临交流。
蓉矽发布自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，展示独立自主研发能力和产品实力
蓉矽半导体发布了其自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，充分展示了蓉矽独立自主研发能力和产品实力，具备极致性能、极高性价比，助力服务光伏、快充、储能等高增量市场。
NOVUSEM（蓉矽）SiC MOS/Diode/MCR选型表
目录- DuraSiC MOSFET DuraSiC Schottky Diode MCR
型号- NE1D120C40GTD,NCD30S30TTD,NCD30S20FTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1M120C75RRU,NC1D120C30W,NCD20S20FTDL,NCD30S20TTD,NE1M120C75UW,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NC1M120C75GT,NC1M120C75W,NE1D120C20GTD,NC1M120C75GTU,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NCD30S40FTD,NE1D120C60GTD,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NE1M120C75HTU,NE1M120C12W,NC1D120C20KT,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1D120C20GTD,NCD15S20FTDL,NC1M120C75UW,NE1M120C75W,NC1D120C20W,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NC1M120C75HTU,NE1M120C75GT,NC1D120C40GTD,NE1D120C30KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT
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品类：Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格：￥10.6250
现货： 100
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价格：￥12.6000
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品牌：NOVUSEM
品类：SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die
价格：￥18.2000
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品类：SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die
价格：￥12.6000
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