瑞之辰授权世强硬创,代理SiC MOSFET/IPM/PIM模块等产品
日前,深圳市瑞之辰科技有限公司(以下简称“瑞之辰”)与ToB老牌技术分销商世强先进(深圳)科技股份有限公司(以下简称“世强先进”)达成授权代理合作。
据悉,瑞之辰成立于2007年,是一家专业从事芯片设计、方案研发的高科技公司,拥有拥有自己的知识产权,拥有百余项发明专利和实用新型专利。主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等系列。
其中,瑞之辰碳化硅SiC PIM大功率模块系列运用AMB陶瓷基板、高性能烧结银、水冷散热器以及高可靠树脂材料,其内部能够容纳16到20颗SiC MOSFET芯片,电压处于1200~3300V之间,电流在300~1000A之间,额定功率最高可达240kW。
智能功率模块SiC IPM——24A-D采用AMB或者DBC陶瓷基板和焊片,内部包含1至2个IC驱动、SiC MOSFET、温度传感等芯片,电压为650V~1200V,功率在300W~7500W区间。
值得一提的是,瑞之辰还推出首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,不仅实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,而且在系统热损耗方面降低了三分之一。
SiC MOSFET——TO247-4PHC使用自行设计的框架结构与无铅焊料,其内部可内置1至4个SiC芯片,电压为650V和1200V,该模块能够替代IGBT功率模块,从而将功率密度提高到98%。
上述类型产品均具备高耐压、高可靠性、低损耗等优异性能。多年来应用涉及储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、锂电池保护、新能源汽车、音频功放、小功率适配器、手机充电器、LED驱动等众多领域。
关于本次合作,世强先进搭建的硬件创新研发和供应服务平台世强硬创获得瑞之辰的信赖与认可,未来合作双方将结合双方优势,尤其是世强硬创线上+线下的技术分销模式,携手共同加大市场推广力度,以此提高品牌知名度以及产品市场占有率。
深圳市瑞之辰科技有限公司是一家芯片设计、方案研发的高科技公司,公司成立于2007年,主要产品有SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列。公司拥有自己的知识产权, 拥有几十项发明专利和实用新型专利。成立以来,销售业务量成倍增长,到2023年已实现年销售额3.6亿,成为国内拥有产品研发设计能力及自有知识产权的电源管理芯片的头部企业。近几年公司研发了SiC 、IGBT等功率器件,封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形,产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。 查看更多
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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