一文剖析MOSFET家族:增强型与耗尽型器件的特性与应用

2024-12-10 方舟微
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MOS器件家族分为增强型(Enhancement Mode)和耗尽型(Depletion Mode)两大类。自上世纪七十年代以来,增强型器件得到了广泛的研究与开发,成为主流的器件种类。但是,耗尽型器件具有一些独特的性能,在实现一些电路拓扑中具有无可比拟的优势。近年来,耗尽型器件日益受到重视,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等,涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。

 

MOSFET家族

如图1所示,MOSFET器件分为增强型和耗尽型两大类。


图1. MOSFET家族树


增强型器件:当栅极-源极电压VGS=0V,其导电沟道尚未形成,器件处于关断状态。当栅极-源极电压VGS>(+)VTH时(N沟道)或VGS<(-)VTH(P沟道),其导电沟道因反型而形成,器件处于开通状态。由于在零偏时,器件处于关断状态,增强型器件又称为“常关”(Normally Off)器件。


耗尽型器件:当栅极-源极电压VGS=0V,其导电沟道即已存在,器件处于开通状态。当栅极-源极电压VGS<(-)VGS(OFF)时(N沟道)或VGS>(+)VGS(OFF)(P沟道),其导电沟道因耗尽而消失,器件处于关断状态。由于在零偏时,器件处于导通状态,耗尽型器件又称为“常开”(Normally On)器件。


由此可见,增强型器件和耗尽型器件最主要的差别是阈值电压。以ARK公司的150V, N沟道增强型MOS管器件FTP0P1N15G为例,其阈值电压(也称作开启电压,表示为VGS(TH))VGS(TH)(Min.)为+2.5V;耗尽型MOS管的阈值电压(也称作关断电压,表示为VGS(OFF))为负值,以ARK公司的850V, N沟道耗尽型MOS管DMS8550E为例,阈值电压在-4V~-1.2V,其电阻RDS(ON)(Typ.)为45Ω,。图2示意性地给出了两种器件的转移特性曲线。可以看出,当VDS=5V且VGS=0V时,增强型器件处于关断状态,其漏-源泄漏电流IDSS=0mA,而耗尽型器件处于导通状态,其漏-源电流IDSS=45mA。


图2. 增强型和耗尽型MOS管的转移特性曲线


增强型和耗尽型器件均有横向结构(Lateral Structure)和垂直结构(Vertical Structure)两种,如图3所示。


图3. 横向结构器件和垂直结构器件


横向结构:漏极位于芯片表面,电流在芯片表面横向流动,如图3(a)所示。横向结构易于集成,其密勒电容较小,可以实现更高的频率。


垂直结构:漏极位于芯片背面,电流在芯片内部垂直流动,如图3(b)所示。垂直结构充分利用了芯片面积,单位面积的导通电阻更小,具有更高的电流密度,因此非常适用于功率器件。ARK公司的耗尽型MOS管DMS8550E即采用了此种结构。


增强型和耗尽型器件按沟道导电类型分,又可分为N沟道和P沟道器件

N沟道器件:导电沟道为N型,参与导电的主要是电子;

P沟道器件:导电沟道为P型,参与导电的主要是空穴。


由于电子的迁移率远高于空穴,N沟道器件具有更强的电流处理能力,得到了更广泛地运用。

 

耗尽型MOSFET

图4. E/D NMOS反相器电路


耗尽型MOS管并不是一个新鲜的事物。早在1970年代,作为E/D NMOS反相器电路中的耗尽型负载管,耗尽型MOS管在逻辑电路中得到了广泛的应用,如图4所示。1979年出现的高性能16K SRAM仍然采用了这样一种E/D NMOS结构。1970年代末,随着更具优势的CMOS电路的出现,E/D NMOS逐渐退出历史舞台。

 

1980年代以来电力电子技术兴起,功率MOS管开始得到广泛的应用。增强型功率MOS管作为主流的开关器件,占据了绝大部分市场份额。耗尽型功率MOS管作为一种特种器件,在实现一些电路拓扑中具有无可比拟的优势,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等。由于需要较强的功率处理能力,耗尽型功率MOS管以垂直N沟道器件为主。耗尽型MOS管在固态继电器中的典型应用如图5所示。


图5. 固态继电器中的耗尽型MOS管


图6. 耗尽型MOS管实现零偏置放大器

 

近年来,随着系统电源电压的降低和绿色能源计划的实施,系统的功耗设计正面临着更加严苛的要求。耗尽型MOS管由于其独特的性能,其应用的广度和深度都在不断地拓展。利用耗尽型MOS管,可以方便地实现零偏置放大器。如图6所示,当VGS=0V时,耗尽型MOS管导通且工作于饱和放大区。该放大器不需要偏置电路,简化了电路设计,降低了系统成本,还完全消除了偏置电路的功耗。


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产品型号
品类
BVDSS (V)
RDSON(Ω) Typ.
ID (A)
VGS (V)
Package
DMZ1511NE
耗尽型MOSFET
150
10~25
0.1
-3.3~-1.5
SOT-23

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