【产品】半桥结构、包含eGaN®场效应晶体管的200V开发板EPC9048C
EPC公司的EPC9048C开发板采用半桥结构并且内置栅极驱动器，包含两个以德州仪器（TI）UCC27611作为栅极驱动器的EPC2034C eGaN®场效应晶体管（FETs）。
图1 EPC9048C开发板
EPC9048C开发板的大小为1.5英寸x 2英寸，支持200V的最大输出电压，15 A的最大输出电流。为简化EPC2034C GaN的评估过程，该电路板包含所有关键部件和布局来获得最优的开关性能。
图2 开发板框图
快速启动程序：
对开发板进行简单设置就可以评估eGaN场效应晶体管的性能。有关正确连接以及测量设置，请遵循以下步骤：
1. 断电状态下，将输入电源总线连接到+VIN(J5,J6)，接地端返回至-VIN(J7,J8)。
2. 断电状态下，根据需要来连接半桥输出的开关节点(J3,J4)。
3. 断电状态下，将栅极驱动输入连接到+VDD(J1,Pin-1)，接地端返回至-VDD(J1,Pin-2)。
4. 断电状态下，将输入脉宽调制控制信号连接到脉宽调制(J2,Pin-1)，接地端返回至剩余的J2引脚。
5. 打开栅极驱动电源，确保电源介于7.5V到12V之间。
6. 打开控制器(PWM输入)。
7. 打开总线电压并调至所需值(VOUT不要超过绝对最大电压)，打开探头开关节点，查看开关操作。
8. 工作期间请注意调节总线电压和工作范围内的负载PWM控制，并且需要多观察输出开关行为、效率和其他参数。
9. 如需关机，请按相反步骤操作。
图3 正确的连接及测量设置
表1 开发板各项性能
注意：
最大输入电压取决于感性负载，EPC2034C的最大开关节点电压需<200V；
最大电流取决于模温，实际上电流值会随着开关频率、总线电压及散热冷却而更低或更高。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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|
EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
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3.4
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28
|
150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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现货市场
服务
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最小起订量： 1 提交需求>
可加工PCB板层数：0-60层，板材类型：高频板/高速板/高频混压板/盲埋孔板/HDI板/无卤素板/厚铜板/刚柔结合板；最大加工尺寸：622*1200MM；板厚：0.05-8.0MM；铜厚：0.33-30OZ；
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