【产品】N沟道功率MOSFET,最大漏极持续电流90A、导通电阻3.0mΩ

2018-05-03 ShinDengen
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新电元(SHINDENGEN)公司一直致力于功率电子领域,近日推出了一款N沟道金属氧化物场效应晶体管——P90FG5R5SL,相对于P沟道MOS管,导通电阻更小,并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为55.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为90.0A,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。具有低导通电阻、4.5V栅极驱动、低电容的特点,可应用于DC-DC转换,负载/电源开关,继电器驱动等应用。


采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FG,是一款具体尺寸为15.0mm(W)X10.2mm(H)X4.44mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。


图1  P90FG5R5SL外部视图


P90FG5R5SL的最大栅极/源极电压VGSS为±20V,最大总耗散功率Pt为128.0W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为3.0mΩ,最高沟道温度Tch为150.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为106.0 nC。


图2  P90FG5R5SL典型输出特性及转移特性曲线


P90FG5R5SL的主要特点:

• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为55.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±20V

• 最大漏极持续电流(DC)Id为90.0A,最大总耗散功率Pt为128.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为3.0mΩ

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为106.0nC

• 采用FG封装, 尺寸大小为15.0mm(W)X10.2mm(H)X4.44mm(D)


P90FG5R5SL的典型应用:

• DC-DC转换

• 负载/电源开关

• 继电器驱动



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