瞻芯电子荣获“国产功率器件-SiC行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”

时间： 2024-12-12 来源：瞻芯电子公众号

代理服务

技术支持

采购服务

12月7日，第十五届亚洲电源技术发展论坛在深圳召开，同期举行“第三届电源行业配套品牌评选活动”。此次评选旨在表彰在技术创新、市场表现和行业影响力方面具有卓越成就的企业，严格评审了研发投入、技术前瞻性、市场表现等维度。

瞻芯电子凭借持续研发创新，推出了极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件、SiC专用-比邻驱动^®芯片和模拟PFC控制芯片产品，赢得了良好的市场声誉和业绩表现，荣获“国产功率器件-SiC行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”。

获奖产品

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅（SiC）MOSFET产品和工艺平台的公司。自2020年10月发布第一代SiC MOSFET和SiC Diodes以来，瞻芯电子持续迭代开发，基于浙江瞻芯车规级SiC晶圆厂，陆续推出了第2代和第3代产品，覆盖650V-3300V SiC MOSFET和650V-2000V SiC SBD产品系列，产品核心参数处于国际一流水平。

最重磅的是2024年瞻芯电子发布了第3代SiC MOSFET产品，该系列产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将产品核心指标：比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²，且导通电阻Ron在175℃高温下具有更低的温升系数，达到国际领先水平。该系列产品已赢得多家EV主驱项目定点，同时全面突破光伏、储能、充电桩市场，展现了强大的市场竞争力。

为了助力高频、高效、高密电源开发，瞻芯电子创新开发了SiC专用-比邻驱动^®芯片和控制芯片产品，成为业界技术创新的标杆。

业界首创的比邻驱动^®芯片，具有紧凑封装，集成负压驱动、短路保护、米勒钳位、欠压保护、故障报警等功能，除了非隔离型驱动，还具有3.75kVrm和5.7kVrm隔离型产品。

业界首创的连续模式（CCM）图腾柱PFC模拟控制芯片IVCC110x，内置精确可靠的模拟控制功能，无需编程，使用简单，且能克服一系列应用难点，曾荣获第八届中国电源学会科学技术奖。

成立7年来，瞻芯电子服务支持客户超1000家，截至今年11月，SiC MOSFET产品累计交付逾1400万颗，其中逾400万颗“上车”应用，驱动芯片累计交付逾5500万颗，产品的长期可靠性得到市场的充分验证。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Vicky转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子荣获2项电源行业奖项，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

瞻芯电子七周年庆：创新驱动，碳化硅（SiC）技术改变未来

2024年7月17日，瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里，瞻芯电子顺利完成了股份改制，转型为股份有限公司，持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉，彰显了其在行业内的卓越地位。同时，瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅（SiC）晶圆厂的运营管理水平得到显著提升，通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证，晶圆产线良率不断提高，流片周期进一步缩短。

2024-07-24 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

SiC器件“高烧不退”的终极解药！银烧结技术通过低温工艺与高可靠连接，为SiC功率器件提供了突破高温瓶颈的终极方案

银烧结技术通过低温工艺与高可靠连接，为SiC功率器件提供了突破高温瓶颈的终极方案。爱仕特基于实测数据与行业验证，持续优化产品性能，助力客户在工业电源、电动汽车与航空航天领域实现效率与可靠性的双重跃升。随着材料与工艺的迭代，这项技术有望在更广阔的能源领域释放潜力，推动电力电子系统向更高效、紧凑的未来迈进。

2025-03-24 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

派恩杰·中国电源学会年会“工业报告” | 《基于环流系统的碳化硅功率器件可靠性研究》

派恩杰的雷洋博士在“工业报告”环节做出了《基于环流系统的碳化硅功率器件可靠性研究》的报告分享。雷洋博士就“①SiC MOSFET参数漂移问题、②SiC MOSFET参数漂移研究的环流系统、③实验结论”三大模块论点进行了实验性报告分享，并与会上广大业内同仁共同进行了热烈的交流与实验探讨。

2025-02-13 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南

公司介绍产品应用产品概览 SiC Devices 产品概览驱动与控制芯片碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录碳化硅肖特基二极管系列产品碳化硅功率模块系列产品栅极驱动芯片系列产品图腾柱 PFC 控制芯片系列产品产品可靠性测试规范

瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能

March 2024 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

碳化硅功率半导体和芯片解决方案

上海瞻芯电子科技股份有限公司专注于碳化硅（SiC）半导体领域，提供SiC功率器件、驱动和控制芯片产品。公司拥有6英寸SiC MOSFET产品及工艺，产品应用涵盖新能源汽车、光伏逆变器等领域。资料详细介绍了瞻芯电子的产品线，包括SiC MOSFET分立器件、晶圆产品、模块产品和栅极驱动芯片等，并展示了产品目录和关键参数。

瞻芯电子 - 碳化硅 (SIC) MOSFET,驱动和控制芯片,IV3Q12120T9Z*,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV3Q33050T4*,IV2Q07014T4Z,IV3Q12035D7ZB,IV2Q12100D7Z,IV1Q12050D7Z,IV3Q12150T4Z*,IV3Q12060T4Z*,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IV3Q12018K1Z*,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IV2Q12040T4Z,IV3Q12018T4Z*,IV1Q12080T3Z,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV2Q17080T4Z*,IV3Q12035T4Z*,IV2Q12200D7Z,IV2Q17020T4Z*,IV2Q20045T4,IV2Q12030D7Z,IV1Q12750T3,IV2Q06060T4Z,IV3Q12060D7Z*,IV1Q06060T4ZGB,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV1Q06060T3G,IV2Q12065D7Z,IV3Q12150K1Z*,IV2Q12160T4Z,IV1Q12017T4G,IV3Q06025T4Z*,IV3Q12120K1Z*,IV2Q12200T4Z,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV2Q06060L1*,IV3Q12150D7Z*,IV3Q12035T4ZB*,IV3Q12120D7Z*,IV3Q12035K1Z*,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12080T4Z,IV2Q171R0T3,IV1Q12160D7Z,IV3Q12013T4Z,IV2Q12040K1Z,IV2Q06025D7Z,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV3Q12021K1Z*,IV3Q12035T9ZB*,IV3Q07011T4Z3R*,IV3Q12120T4Z*,IV3Q12150T9Z*,IV1Q06060D7G,IV2Q12017T4Z,IV2Q12160D7Z,IV3Q12021T4Z*,IV2Q06060D7Z,IV3Q12035T9Z*,IV3Q12060T9Z*,IV1Q06040T4Z,IV1Q06060T4ZG,IV1Q12030T4G,IV3Q12035K1ZB*,IV2Q12080T4Z,IV1Q12080T3,IV3Q12075K1Z*,IV3Q12035D7Z,IV1Q12080T4,IV2Q12080D7Z,IV1Q12050T4Z,IV2Q12100T4Z,IV2Q17040T4Z*,IV3Q12075T9Z*,IV3Q14025T9Z,IV3Q12060K1Z*,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV3Q12075D7Z*,IV2Q06025T4Z,通信与工业电源,充电桩,储能变流器,新能源汽车,光伏逆变器,AI 服务器供电和家电

2025年4月 - 选型指南 - April 2025 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,单通道智能带功率器件短路保护检测驱动芯片,双通道隔离驱动芯片,低边驱动芯片,碳化硅MOSFET,栅极驱动器ICS,碳化硅MOSFET晶圆,功率模块,SIC功率半导体器件,碳化硅二极管,GATE DRIVER ICS,碳化硅功率器件,晶圆,汽车级TPAK碳化硅MOSFET模块,裸片,混合碳化硅分立器件,半桥MOSFET模块,单开关模块,碳化硅功率模块,SIC POWER SEMICONDUCTOR DEVICES,门极驱动芯片,全碳化硅,汽车级HPD碳化硅MOSFET模块,隔离驱动芯片,单通道隔离驱动芯片,碳化硅二极管晶圆,汽车级全碳化硅功率模块,汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1,储能设备,电机控制器,电源系统,车载电源,新能源汽车主逆变器,空调压缩机,光伏发电,大功率快速充电桩,OBC,车载充电器,不间断电源,电动汽车,UPS,混合动力汽车,光伏储能,PFC电源,字母S,PD快充,储能,电机驱动,工业控制,ESS,光伏组串逆变器,新能源汽车主驱逆变器,光储一体机,数据中心UPS,充电桩,新能源汽车,新能源汽车电机控制器,医疗电源,电力电子系统,EV充电,燃料电池DCDC,隔离式DC-DC电源,线性驱动器,家用电器,DC-AC太阳能逆变器,智能电网,AC-DC电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器

2024/5/16 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

碳化硅功率器件 · 门极驱动芯片

深圳基本半导体股份有限公司专注于碳化硅功率器件的研发与产业化，提供碳化硅二极管、MOSFET芯片、功率模块和驱动芯片等产品。公司产品应用于光伏储能、电动汽车、轨道交通等领域，拥有多项知识产权和国家级荣誉。主要产品包括汽车级和工业级碳化硅功率模块、门极驱动芯片和电源管理芯片等。

基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,混合碳化硅分立器件,汽车级全碳化硅功率模块,碳化硅MOSFET,碳化硅二极管,门极驱动芯片,BMF011MR12E1G3,BMS800R12HWC4_B02,B2D04065K1,B3D10065K,B2M160120H,BMF800R12FC4,高端电焊机,逆变焊机,车载电源,高频DCDC变换器,不间断电源,电动汽车,车载充电器(OBC),不间断电源(UPS),UPS,储能变流器(PCS),光伏储能,PFC电源,感应加热设备,工业控制,光伏组串逆变器,光储一体机,数据中心UPS,充电桩,新能源汽车电机控制器,大功率充电桩,储能(ESS),高频逆变器,智能电网,轨道交通,光伏逆变器,有源电力滤波器(APF)

2024/12/07 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

瑶芯微1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET，高效提升储能电站辅助电源性能

本文以瑶芯微的一款1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH为例，重点阐述了其高压、高效率的特性，非常适合用在储能电站的辅助电源系统中，为大家设计类似项目提供了一个较好的解决方案。

2024-04-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例：可显著改善效率和功率密度

碳化硅功率器件的不断发展，为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合，可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。

2024-07-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

SiC功率器件具有耐高温、高频、大功率、高压优越特性，广泛应用于消费和白色家电领域

在家电领域应用的碳化硅功率器件主要分为两大类：碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET。这两类器件主要应用于功率因数校正（PFC）电路和电机驱动系统。以空调系统为例，采用碳化硅MOSFET作为电机驱动器件，不仅可以提升整体系统效率，还能有效减小散热器尺寸，降低热管理系统的复杂度和磁性元件的使用成本。

2025-05-23 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

2024-08-06 - 产品代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯SiC MOSFET为40kw充电桩电源模块提供更高的耐压等级和热导率，增强了充电桩的稳定性

碳化硅模块提供了更高的耐压等级和热导率，增强了充电桩的稳定性，使直流充电桩能以更高频率运行，提升了近30%的输出功率，并降低了约50%的损耗。中瑞宏芯成功研发并量产了多款适用于充电桩电源模块领域的产品。型号包括但不限于：HX1D40120H1、HX2M040120K、HX2M030120K等，旨在为客户提供更加高效、稳定的充电解决方案。

2024-12-19 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

应用 | 碳化硅推动光伏系统迈向高性能时代

碳化硅功率器件具备更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度，可显著提升功率转换效率并减少系统发热，从而简化散热设计，降低系统能耗。尤其是在1500V组串、光储融合、高温或高频工况下，其系统级优势尤为明显。在某光储项目中，通过使用SMC碳化硅产品，使转换效率从原先93%提升至约97%，充放电热损降低一半以上。

2025-04-15 - 应用方案代理服务技术支持采购服务