中瑞宏芯SiC MOSFET器件在电焊机中的应用及优势
提高逆变频率有助于减小焊机质量、体积和噪声,同时加快动态响应并提升输出电流波形的准确性。目前,商业化的逆变式电弧焊机普遍采用20~30kHz的逆变频率,而基于性能卓越的SiC MOSFET的电弧焊机在硬开关条件下已可达200kHz,尽管其研究和应用尚处初级阶段。随着第三代宽禁带功率器件研究的深入及成本降低,更高逆变频率的商业化电弧焊机将迎来更新换代。
应用拓扑图
拓扑1 双管正激
拓扑2 全桥
拓扑3 半桥
SiC MOSFET器件在电焊机应用中的优势主要体现在提高效率、降低成本、增强便携性、提高可靠性和耐压高等方面。具体优势包括:
提升开关频率:SiC MOSFET的快速开关能力支持更高的工作频率,从而简化逆变器设计并缩小元件尺寸。
增强效率与性能:其低开关损耗和高频率使得焊机能效更高,运行成本更低,系统效率可超93%。
实现小型化与轻便化:高频工作减少电感和电容需求,使焊机设计更紧凑轻便。
低导通阻抗:SiC MOSFET的内阻极低,有助于减少散热片使用,进一步减小电源体积和重量。
高耐压能力:在保持低导通阻抗的同时实现高耐压,提升器件性能和可靠性。
降低开关损耗:无尾电流特性显著减少高频工作时的开关损耗,简化散热设计。
优化热管理:器件设计支持更高效的热传递,简化散热系统。
满足现代工业需求:SiC MOSFET的应用使逆变焊机更好地适应高效、节能和精确控制的要求,尤其在高端设备制造领域表现突出。
中瑞宏芯的SiC MOSFET以其高效能、高频率和出色的高温性能,可将开关频率提升至100kHz以上,并已成功开发并量产了多个低开关损耗产品系列,如1200V40mΩ/80mΩ/160mΩ等,为电焊机行业带来革命性变革,成为现代智能制造的优选方案。
图1 HX1M040120K产品及内部电路图
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图2 HX1M080120K产品及内部电路图
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图3 HX1M160120K1产品及内部电路图
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macrocore semiconductor MOS管选型表
macrocore semiconductor提供MOS管选型表产品,含车规级和工业级,VDS(V):650V~2000V
产品型号
|
品类
|
VDS(V)
|
RDSON(mΩ)@25℃
|
RDSON(mΩ)@175℃
|
ID(A)@25℃
|
Vth(V)
|
Operating Junction Temperature
|
Qualification
|
HX1M040065D
|
SiC MOSFET
|
650
|
33
|
35
|
77
|
2.7
|
-40℃to175℃
|
工业级
|
选型表 - macrocore 立即选型
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芯达茂将携SiC、IGBT等众多新优产品亮相第103届中国电子展,助力产业发展
第103届中国电子展将于4月9-11日在深圳会展中心举办,本届展览汇集以基础电子元器件为技术牵引,拓展物联网、智能制造、5G、特种电子、新能源汽车、大数据等核心技术的应用创新。展会上,芯达茂将携SiC、IGBT等众多新优产品亮相,诚邀广大客商朋友前来参观交流。
All Products Power Supplies & Power Semiconductor 产品介绍
型号- SPU-2020,SRG 系列,HKD-G,PV-250K-42/44T-03 MVJ,UG3-0450□F,SPU-2100,GED040120,UG1-□450□,GED028120,UG1-□050□,UG3-0350□F,UG3-0800KF,TE028121H,MRM-PM-15005- ▼,TE028063H,TE028064H,UG 系列,UG1 SERIES,SPU,TE040066H,SPU-2060,HKD,UG1-□025□,SPU-2030,HKE,PV-500K-42/44T-13 MVJ,MRM-□-W,MRT-8003HPR,BACKUPS1000,UF3 SERIES,MRT-HPR,UG SERIES,UF 系列,UG1-□600□,TE040063H,MRM-□,SPU SERIES,PV-100K-42/44T-03 MVJ,UF3,HKE-G,UG1系列,SPU-2045,UG1-□250□,UG3-0035□F,BACKUPS1000系列,SRG,GED040060,GED028060,MRT,MRS,UG3-0050□F,MRT-800.4HP,TE028066H,UG3-0075□F,UG3-0100□F,TE040121H,SPU-2080,UG1,UG1-□035□,UG1-□100□,UG1-□350□,UG3-0600KF,UG3-01200KF,UG1-□075□,UG3-0150□F,MRT-8001HPR,MRS-PR,UG3-0025□F,UF SERIES,MRT-8005HPR,TE028067H,UG3-0250□F,PV-500K-42/44T-03 MVJ,UG1-□800□,UG1-01200□
SiC MOSFET应用于汽车电子领域的优势及设计注意事项
SiC MOS是未来趋势,在要求较高的汽车电子中应用会越来越多。森国科的产品包括SJ-MOS、SiC MOS,都可广泛应用于逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源、电焊机电源等各领域。
芯众享(CORENICS)SiC/GaN 功率器件选型指南
目录- 企业简介和资质证书 产品命名规则 碳化硅概述 碳化硅SBD 碳化硅MOSFET 碳化硅功率模块 氮化镓 可靠性测试/应用领域 应用方案
型号- CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170R2G,CEB020D170R3G,CEB015D120R2G,CEB006D065V2G,CEB120M065R3G,CEB010D065S2G,CEB020D120S2G,CEB080M120R4G,CEB010D120R2G,CEB480N120MTV,CEB020D065R3V,CEB030D120R3V,CEB080M120R4V,CEB360N120MTV,CEB015D065R2G,CEB015D065V2G,CEB020D065R2G,CEC140G065DB8G,CEC150G065PDG,CEB030D120R3G,CEB060M065R3G,CEB600N120MTV,CEB020D065V2G,CEB1000M170R4G,CEB300N120HPV,CEB040D065R2G,CEB006D065BDG,CEB010D120R3G,CEB200N120EAG,CEB016M120R4G,CEB015D065R3G,CEB020D120V2G,CEB010D065V2G,CEB030D065R3G,CEB040D120R3G,CEB010D170R2G,CEB045M170R4G,CEB020D120R2G,CEB160M120R3G,CEB010D065R2G,CEB010D120S2G,CEB480N120HPV,CEC140G065BDG,CEB006D065S2G,CEB030D065R3V,CEB016M120R3G,CEB300N120EAG,CEB006D065O2G,CEB040D120R3V,CEB040M120R4V,CEB400N120EAG,CEB020D120R3V,CEB006D065DA8G,CEB015D065S2G,CEB025D170R2G,CEB030D065R2G,CEB040M120R4G,CEB020D065S2G,CEC140G065DA8G,CEB010D065BDG,CEB080M120R3G,CEB080M170R4G,CEB160M120R4G,CEB020D120R3G,CEB006D06502G,CEB015D120R3G,CEB040M120R3V,CEB010D065DB8G,CEB600N120HPV,CEB045M170R3G
【产品】采用磁隔离技术的3.5A/1200V栅极驱动芯片,具有高于50kV/µs的瞬态抗扰度
华大半导体推出的HSA6880-S是一款功能齐全、隔离型3.5A/1200V栅极驱动芯片。此单芯片解决方案拥有提高性能以及确保在恶劣环境中长期工作的功能。该芯片可为IGBT、Si/SiC MOSFET提供快速的开关驱动以及保护功能。该驱动器采用电气隔离技术,使输入与输出间有3.75kVrms的隔离电压。
森国科功率器件及模块产品介绍
描述- 深圳市森国科科技股份有限公司介绍其功率器件及模块产品,涵盖SiC功率器件、IGBT、SJMOS等,并涉及功率模块、驱动IC、无刷电机驱动IC等。公司强调新材料和特色工艺,提供650V至2000V不同电压等级的SiC二极管、MOSFET和模块,以及SJMOS和IGBT产品。应用领域包括新能源汽车、泛新能源、工业能源、消费电子等。
型号- KS08065-T,KS20065-A2,KS30065-A2,KS10065-E,KS40065-A2,KS10065-T,KM500170-R,KS10065-N,KS08120-A,KS06065-D,KS16065-A2,K3J380065-T,KS06065-E,KS06065-F,KS08120-B,KS08120-C,KS06065-A,K3J180065-T,KS06065-B,KG075Z12P1M1,KS10120-B,KS10120-A,KS02120-B1,KS10120-C,KS20065-R2,KC006F12W2M1,KS40065-R2,KS20065-R1,KC017Z12J1M1,KS15120-C,KS04065-A,KS30065-C2,KS04065-D,K3J1200065-T,KS04065-B,KS04065-I,KS15120-A,KS20065-A,KS20065-C,KS06065-T,KS02120-I,KS06065-Q,KS10120-E1,KS06120-A,KS06065-N,KS06120-B,KS20120-E1,K3M080120-R,K3J045065-R,KS40120-R2,KC011F12W1M1,KS30065-R2,K3M080120-J,KS10065-B,KS10065-A,KS10065-D,KS12120-R2,KS40120-C2,KS10065-E1,KS50120-C2,K3J193060F-T,KS20065-E2,KS20120-A,KS04120-B,KS20120-C,KG050Z12P2M1,KS02065-I,KS04120-A,KS04065-B1,KS15065-C,KS100120-C,KS15065-A,KS16120-R2,KS50065-C,KS30120-C2,KS06120-T,KM040120-R,KS30120-AI,KS06120-N,KM040120-J,KS02120-A,KS30120-R2,KS02120-B,K3J193060F-A,KS04065-Q,KG100Z12J1M1,KS04065-T,KC100D12J1M1,KS06065-AI,K3J100065-C,KG050Z12P1M1,KS20065-C2,KS06065-B1,KS10120-E,KS16065-R2,KS12065-A,KS08065-E1,K3J280065-T,KS20120-R2,KG150Z12J1M1,KG075Z12P2M1,KS02065-A,KS08065-D,KS08065-B,KS02065-B,KS08065-A,KS20120-R,KS40065-C,KS20120-E,KS10065-AI
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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