应用笔记 | SiC模块并联驱动振荡的抑制方法

时间： 2024-12-16 来源：ROHM（罗姆半导体集团公众号）

代理服务

技术支持

采购服务

SiC MOSFET与传统Si器件相比，具有高电压、大电流、高速驱动、低损耗、高温稳定等诸多优点，是新一代器件。近年来，利用这些优异特性，作为向大功率发展的电动汽车 (EV) 的牵引逆变器电路，并联连接多个 SiC MOSFET元件的功率模块被使用的情况越来越多。

另一方面，由于并联使用这样的高速元件，有时会发生元件间的并联驱动振荡 (以下简称振荡)。发生振荡的话元件有破坏的危险，因此抑制对策是市场的重要课题之一。

本应用笔记将介绍有效抑制功率模块振荡的方法。

No.1 基础理论

基础理论分别为各位工程师详细介绍振荡发生的机制、振荡抑制的想法（改善相位差）、影响相位裕量的实际参数三部分内容。

振荡发生的机制

振荡抑制的想法（改善相位差）

影响相位裕量的实际参数

No.2 模块的寄生电感Ldd、Lgg、Lss

该部分分别为各位工程师详细介绍Ldd、Lgg、Lss的定义、模块布局中的Ldd、Lgg、Lss两部分内容。

Ldd、Lgg、Lss的定义

模块布局中的Ldd、Lgg、Lss

FINAL 总结

为了抑制振荡，只要“增加相位裕量，降低增益”就可以了。但是，作为根本对策，“增加相位裕量”是最有效的（因为ωp2会产生2次延迟的增益峰值，很难降低增益）。
衡量“相位裕量”的指标是“ωp2/ωz比”。ωp2/ωz比越大，相位裕量越大，越稳定。
为了增加ωp2/ωz比来提高相位裕量，“Cgd和Lgg大，Cds和Lss相反小”就可以了。
Cgd和Cds是元件的寄生电容，所以很难从后面进行调整。因此，为了增加相位裕量，适当地设计模块的各寄生电感(即布局)是重要的。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由wenxia转载自ROHM（罗姆半导体集团公众号），原文标题为:应用笔记 | SiC模块并联驱动振荡的抑制方法，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：图腾柱PFC实机评估

本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外，为了微电网系统更加稳定，并促进供需平衡，全球范围都在研究V2G（Vehicle To Grid），双向工作也变得越发重要。

2024-07-14 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

本文的关键要点：可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算；MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。

2024-07-12 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET缓冲电路设计方法

与传统的功率半导体相比，SiC MOSFET的开关速度更快，因此其电压和电流变化更急剧。这使得器件自身的封装电感和外围电路的布线电感等的影响变大（已经不容忽视），最终会导致较大的浪涌。关于这种浪涌的抑制方法，我们已经介绍过其中一种，即缓冲电路的增加方法和设计方法。

2024-04-20 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

2024-07-11 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）助力电动汽车功率转换器设计

本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术，提供IPM这种已整合的解决方案。

2021-08-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

Littelfuse电动汽车无线充电解决方案

电动汽车（EV）无线充电正日益接近现实。只需将车停在充电板上，车辆就会自动充电，而无需插电。本文介绍了Littelfuse如何帮助新型无线电动汽车充电站设计实现安全、高效和可靠。

2024-10-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【元件】阿基米德半导体推出单面水冷塑封SiC模块，全面迎接电动汽车800V高压平台时代的到来

针对高端电动车的系统需求，阿基米德半导体重点推出了电流密度更高、满足800V高压平台的ACD模块（单面水冷塑封SiC模块）。该模块融合了尖端技术，内置先进的SiC芯片，采用有压型银烧结互连工艺和Cu Clip键合技术，确保了卓越的电气连接性能和热管理。使用的Si3N4 AMB陶瓷基板不仅增强了机械强度和热导性，还提高了整体的耐用性和可靠性。

2024-03-21 - 产品代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新

特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET，开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型，并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。

2023-04-11 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

BMH027MR07E1G3 SiC MOSFET模块

描述- 该资料介绍了Basic Semiconductor公司生产的BMH027MR07E1G3型号650V SiC MOSFET模块。该模块具有低导通电阻、高电流密度、低开关损耗等特点，适用于高频转换器/逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器和UPS系统等领域。

型号- BMH027MR07E1G3

2024-09-24 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）

目录- SiC MOSFETs

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

2022/8/3 - ROHM - 选型指南 - Edition 2022 代理服务技术支持采购服务

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

2022-03-05 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET

描述- 本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性，包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

型号- SL87N120A

03 May 2020 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持采购服务

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。

2024-08-30 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 Application Note

描述- 本应用手册主要探讨了SiC MOSFET在开关动作过程中栅极-源极电压浪涌的产生原因及抑制方法。详细分析了桥式电路中开关动作产生的栅极-源极电压浪涌现象，并提出了浪涌抑制电路的设计方案，包括正向和负向浪涌的抑制措施。同时，对浪涌抑制电路的布线设计进行了说明，以确保电路的稳定性和效率。

型号- SCT3040KR,SCT3040KR 4L

2020.4 - ROHM - 应用笔记或设计指南 - Rev. 002 代理服务技术支持采购服务

ROHM‘s 4th Generation SiC MOSFET Bare Chips Adopted in Three EV Models of ZEEKR from Geely Integration in Traction Inverters Extends The Cruising Range and Improves Performance

ROHM has announced the adoption of power modules equipped with 4th generation SiC MOSFET bare chips for the traction inverters in three models of ZEEKR EV brand from Zhejiang Geely Holding Group (Geely), a top 10 global automaker. Since 2023, these power modules have been mass produced and shipped from HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd. - a joint venture between ROHM and Zhenghai Group Co., Ltd. to Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co., Ltd, a Tier 1 manufacturer under Geely.

2024-09-05 - 产品代理服务技术支持采购服务