明芯微高侧OR-ing FET控制器MX5050T,峰值门关断电流为2A,是储能电源应用中的关键组件
在储能电源领域,市场对于高效、可靠的电源管理解决方案的需求日益增长。明芯微电子有限公司推出的的MX5050T高侧OR-ing FET控制器,以其卓越的性能和创新的设计,解决了传统电源管理中的多项挑战,成为储能电源应用中的关键组件。
应用背景
储能电源系统,如太阳能电池板、风力发电和紧急备用电源,必须在多变的环境条件下稳定运行。这些系统面临的主要挑战包括电源效率、热管理和电源切换的可靠性。MX5050T通过其高效率和快速响应特性,满足了这些市场需求,解决了用户在电源管理方面的痛点。
什么是理想二极管
理想二极管是一种理论上的元件,其特性是正向导通电压为零,反向漏电流也为零,这使得它在正向导通时具有极低的功耗和温升,反向截止时则具有极低的漏电流和更长的寿命。理想二极管的价值在于它能够简化电路设计,提高系统效率,降低功耗,并且由于其体积小、成本低,常置于电源与下游系统之间,在3.3V或5V应用中提供电源极性保护、过流保护、短路保护与过温保护。
在储能电源系统中,理想二极管的作用主要体现在以下几个方面:
MX5050T在储能电源系统中的主要功能是作为高侧OR-ing FET控制器,与外部MOSFET配合使用,实现理想二极管的整流功能。它通过电荷泵门驱动为外部N沟道MOSFET提供动力,并在电流反向流动时迅速关闭FET,以保护系统。MX5050T的工作原理包括电压感应、电流检测和快速响应比较器,这些功能共同确保了电源系统的稳定和高效运行。
理想二极管在户外储能电源中发挥的作用:
提高效率:由于理想二极管在正向导通时电压降极低,因此可以减少能量损耗,提高电源系统的效率。
保护功能:理想二极管可以提供过流保护、短路保护和过温保护,增强系统的安全性和可靠性。
电源极性保护:在储能电源中,理想二极管可以防止电源接反,避免对系统造成损害。
防止电流倒灌:在多电源系统中,理想二极管可以防止一个电源向另一个电源倒灌电流,确保系统稳定运行。
自动切换:在嵌入式系统中,理想二极管可以实现电源的自动切换,从外部电源与内部电池中自动选择电压较高的一侧接入系统,提高电池利用率,延长设备续航时间。
简化散热机制:由于理想二极管的低功耗特性,可以简化系统的散热设计,降低成本。
增强系统鲁棒性:在工业UPS备用电源系统中,理想二极管电路可以提供ORing功能,用于在系统电源和备用电池之间切换,同时提供过压、欠压、热插拔和eFuse保护,增强系统鲁棒性。
在与业内常用的TI的LM5050的对比中,MX5050T在多个关键参数上展现出优势:
输入电压源电流(IVS):在5V输入条件下,MX5050T的IVS为48.7μA,远低于LM5050的80.3μA,显示出更高的能效。
输入电流(Iin):在12V输入条件下,MX5050T的Iin为294μA,低于LM5050的320μA,进一步证明其在高输入电压下的节能特性。
栅极导通电流(IGATE(ON)):MX5050T在5V和12V条件下的IGATE(ON)略低于LM5050,意味着在栅极导通时消耗的电流更少。
栅源电压(VGS):MX5050T的VGS在5V和12V条件下均低于LM5050,表明其栅极控制更为高效。
反向导通电压(VSD(REV)):MX5050T的VSD(REV)为-15mV,低于LM5050的-10mV,显示其在反向导通时的电压更低。
高电流关断电压(VOFF(IH)):MX5050T的VOFF(IH)为1.57V,低于LM5050的1.6V,表明在高电流条件下更容易关断。
关断电压差(△VOFF):MX5050T的△VOFF为130mV,低于LM5050的170mV,显示其在关断电压控制上更为精确。
应用案例
在派能科技和深圳光合雅科技的储能电源项目中,MX5050T被成功应用于太阳能充电系统和紧急备用电源。实际应用数据显示,MX5050T不仅提高了电源系统的效率,还显著降低了系统在极端环境下的故障率。例如,在太阳能充电系统中,MX5050T能够智能选择最优电源,确保电源系统的高效运行,同时在光照不足时自动切换到备用电源,提高了电池利用率。
结语
明芯微的MX5050T高侧OR-ing FET控制器,以其高效、可靠的性能,为储能电源应用提供了一种创新的解决方案。它不仅解决了传统电源管理中的多项挑战,还提高了系统的整体性能和可靠性。随着储能电源市场的不断发展,MX5050T的长期价值和未来潜力将进一步得到市场的认可和肯定。
此外,MX5050T在实际应用中展现了其优势,如在电网数据采集器和集中器中,MX5050T成功解决了客户的问题,通过选用NMOS降低了损耗,减少了压降,反应速度快,输出电压比输入电压高20mV截止,有效地防止了电流倒灌。这些实际应用案例进一步证明了MX5050T在电源管理领域的实用性和高效性。
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明芯微电源管理芯片选型表
无锡明芯微高边开关、低边驱动、理想二极管、E-Fuse、负载开关、氮化镓驱动、激光雷达驱动、SSR、PSR选型表。理想二极管:1-50v 理想二极管,内置10毫欧FET;E-fuse:30毫欧内阻 E-Fuse,外部分压电阻过压保护;高速比较器:4ns双通道高速比较器;负载开关:100毫欧,2.5A,1-5V负载开关;低边驱动:单、双通道,低边驱动,耐压20V,MSOP8小封装;SSR:大功率副边反激控制器,满载65Khz,准谐振,外部过温保护自恢复。
产品型号
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品类
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描述
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开关频率(Khz)
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导通特性
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模式
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MX1210T
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反激芯片SSR
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大功率副边反激控制器,满载65Khz,准谐振,外部过压过温输入欠压保护自锁
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65Khz
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准谐振
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Burst mode
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选型表 - 明芯微 立即选型
【经验】解析明芯微MX5050T在做高边驱动应用时的异常问题处理
某客户在找LTC4359的理想二极管控制器的替代型号,因此采用的是明芯微的MX5050T应用在24V左右的控制供电开关,客户发现发出关断信号的时候,依然有输出电压。本文将针对此应用问题进行解析,希望对各位工程师朋友提供设计帮助。
SGM41512A I²C控制3A单芯电池充电器,具有高输入电压能力和窄电压直流(NVDC)电源路径管理
描述- SGM41512A是一款集电池充电和管理于一体的集成电路,适用于单节锂离子或聚合物电池。该芯片支持高达3A的充电电流,具有宽输入电压范围(3.9V至13.5V),并具备高效率同步降压充电功能。它还提供窄电压直流(NVDC)电源路径管理,能够在没有或电量极低的电池情况下实现即时开机,并在补充模式下以理想二极管操作方式为系统供电。
型号- SGM41512AYTQF24G/TR,SGM41512A
明芯微(maxinmicro)芯片/理想二极管/高侧开关/比较器/控制器/电子保险丝选型指南
描述- 无锡明芯微电子有限公司是江苏省“双创”创新创业领军人才企业,是“滨湖之光“创业领军团队企业, 无锡市雏鹰企业和无锡市专精特新企业,在无锡和上海有研发中心, 是有专业的投资机构和多名有20多年经验的研发团队共同成立创建, 研发团队成员来自德州仪器, 前国家半导体, 美信,昂宝等, 专注于AC-DC 副边反激, 原边反激,驱动芯片和保护器件的研发和销售。
型号- MX1313AS,MXPP8-30-1250,MX25924,MX8563EMA,MX8015,MX3085,MX8653,MX74610SS,MX1217E6,MX51712YB,MX1110T,MX25947ES,MX44273,MX3485,MX6875,MX6605Q,MX5014S,MX5069MS,MX27524ES,MX74700,MX7219T,MX8015DC,MX523L18BTE-A,MX10010,MX6288T,MX51728YB,MX16171T100,MX5134T,MX5015D22,MX1025D22,MX74610T,MX1210H,MX523L50BTE-A,MXPP6-3K6110,MX3485E,MX523LXX系列,MX1210E,MX523L18BTE-B,MX1112S,MX8563ESA,MX22917,MX3502,MX3501,MX1118AS,MX51718YB,MX16171D,MX25924D33,MX3502S,MX6505,MX5052S,MX1111S,MX2660,MX27524S,MX6501,MX51725YB,MX74610,MX51710YB,MX51733YB,MX3019C,MX5069,MX517LXX,MX1323AS,MX517LXX系列,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX5050T,MXPP8-30-1103,MX1020W,MX1210S,MX1210T,MX3501T23,MX1312AS,MX523L18BTE,MX51708YB,MX2734,MX5114T,MX22917T,MX25947,MX1025DFN,MX7N65F,MX523L33BTE,MX51730YB,MX7N65D,MX1020CSP,MX10010S,MX1112AS,MX51711YB,MX1310T,MX51715YB,MX5014D22,MX26631DL,MX523LXX,MX523L50BTE,MX75176,MX3085E,MX5069D,MX1218AS,MX523L33BTE-A,MX8563,MX523L33BTE-B,MX6501T,MX5114D,MX5114E
MX74700 低IQ电池反向保护理想二极管控制器
描述- MX74700是一款低IQ电池反向保护理想二极管控制器,与外部N沟道MOSFET配合工作,可实现高效的反向保护。它具有宽电源输入范围、低正向压降和快速响应等特点,适用于冗余电源的有源Oring电路。
型号- MX74700,MPQ
世强硬创获蓉矽授权,代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品
蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET,分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。
MX5050T高端OR-ing FET控制器
描述- MX5050T是一款高侧OR-ing FET控制器,与外部MOSFET配合使用,可作为理想二极管整流器。它适用于冗余(N+1)电源的主动OR-ing,具有宽输入电压范围、快速响应、低导通电阻等特点。
型号- MX5050T
MX5052SL-TC 5A高端或运算FET电路
描述- MX5052SL-TC是一款高侧理想二极管控制器,内部集成了MOSFET,用于作为理想二极管整流器。它具有宽工作输入电压范围、低功耗和压降的特点,适用于冗余(N+1)电源的有源OR-ing电路。
型号- MX5052S,MX5052SL-TC,MPQ
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
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