聚能创芯专注GaN功率器件产品和技术解决方案，可广泛应用于快充、无线充电、数据中心等领域
青岛聚能创芯微电子（Cohenius）主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。公司可自主进行GaN器件设计，掌握物理建模、TCAD模拟、SPICE模拟与版图设计技术。致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，广泛用于快充、无线充电、数据中心、5G基站、航空航天、光伏逆变器等目标领域。
快充
支持65W以上超高速充电，体积减小50%，更便携，单个快充适配手机、pad、电脑等多种终端，能耗降低1/3，减少发热。
无线充电
适配6.78MHz新标准，实现非接触式充电，输出功率近百瓦，无线快充，可支持多部设备同时充电，实现无线办公桌、无线餐桌。
数据中心
减少30-70%的电源体积和能耗，增加5-10%的空间利用率，提高数据中心的总能效1.5-3%，年节省电力开支10亿美元。
5G基站
基站包络电源，CaN高速电源可实现输出电压跟随基带信号，达到全工况最优能效。
航空航天
航空：GaN材料可耐300℃高温，可用于航空发动机应用。
航天：GaN抗辐照能力强，可用于卫星等航天应用，提升系统可靠性。
光伏逆变器
光伏逆变器体积减小30%以上，实现光伏系统紧凑化，逆变器能耗降低一半，提升光伏发电整体效率，逆变器发热更小，寿命更长。
智能家电
LED电视/OLED电视：匹配电视屏幕厚度，提供超薄电源。其他智能家电：提供体积更小，效率更高的电源。
新能源汽车
车载电源：适配48V总线，服务各智能车载系统，减小电源体积和成本。
激光雷达：GaN驱动提升100倍扫描速度，实现高分辨率激光雷达，帮助智能驾驶。
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本文由顾峥峥转载自聚能创芯，原文标题为:目标应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
WAYON Company Profile
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解析氮化镓（GaN）快充电源市场的机会与挑战
据Yole预测，受消费者快速充电器应用推动，到2024年GaN电源市场规模将超过3.5亿美元，CAGR为85％，有极大增长空间。此外，GaN还有望进入汽车及工业和电信电源应用中。从生产端看，GaN功率半导体已开始批量出货，但其价格仍然昂贵。制造成本是阻碍市场增长的主要障碍，因为到今天GaN仍主要使用6英寸及以下晶圆生产。一旦成本可降低到一定门槛，市场就会爆发。
行业资讯 发布时间 : 2024-07-22
【应用】超级MOS可用于PD快充中，在EMI和效率上拥有出色的性能表现
随着人们生活节奏的加快，快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便，充电器小型化是必然，提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如超结MOS使用，使用GaN和SiC材料等。
应用方案 发布时间 : 2021-09-30
肖特基二极管厂家
江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）投资，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。
产品 发布时间 : 2024-07-20
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
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