时科推出的SKQ80N03AD N-MOS，具有低导通电阻、高效率、高耐压等特点

时间： 2024-12-21 来源：时科（時科電子公众号）

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随着电子设备向高效率、低功耗和高可靠性方向发展，MOSFET作为核心元器件，其性能直接影响整体电路设计的成败。时科推出的SKQ80N03AD N-MOS是一款采用Trench工艺制造的低导通电阻、高效率、高耐压的产品，在多个关键性能领域表现卓越。

主要特性

最大漏-源电压（VDS）：30V

连续漏电流（ID）：80A

最大栅-源电压（VGS）：±20V

导通电阻（RDS(on)）：5.1mΩ@VGS=10V 11.1mΩ@VGS=4.5V

开启电压（VGS(th)）：1.0~2.5V

工作结温范围（TJ）：-55~150℃

封装类型：PDFN5060

制造工艺：Trench工艺

1、低功耗——高效能的基础

极低的导通电阻（RDS(on)）

Trench结构设计的双重优化：Trench MOSFET通过在外延硅内部形成深而窄的沟槽，显著增大了导电通道的有效截面积，从而有效降低导通电阻。

相较于传统平面结构，Trench工艺消除了寄生JFET电阻，使导通电阻进一步降低。

时科优势数据：

SKQ80N03AD的导通电阻在VGS=10V时仅为5.1mΩ，在VGS=4.5V时为11.1mΩ，显著降低功率损耗，特别适用于高效能电源转换和大电流应用。

低开关损耗

更低的反向恢复电荷（Qrr）：

Trench工艺缩短沟道长度，提高载流子迁移速度，显著减少反向恢复时的电荷积累，从而降低开关损耗。

实际效益：

导通和关断的能量损失减少，有效提升设备的整体转换效率，是高频应用的理想选择。

2、高性能——满足多样化需求

高耐压性能

均匀电场分布：

漏源区域的表面积增大，使电场均匀分布，避免局部电场过高引起的击穿风险，提升了器件的整体耐压能力。

时科数据支持：

SKQ80N03AD提供30V的漏源耐压，是低压大电流应用的优选解决方案，如电池管理、DC-DC转换和马达驱动。

抗漏电性能强

优化的PN结结构：

Trench工艺增加了绝缘区域的厚度和面积，使漏电流跨越更宽的耗尽区，提高抗漏电能力。

绝缘材料的应用：

沟槽内填充高性能绝缘材料（如SiO₂），进一步增强了器件的绝缘能力，确保在高压环境下的低漏电表现。

3、安全——长期可靠性的保障

高压稳定性：

Trench工艺的沟槽栅结构优化了器件的电场分布，增强击穿电压能力，从而提高高压下的运行安全性。

在长时间工作中，SKQ80N03AD可保持性能稳定，特别适用于对安全性要求较高的工业控制场景。

优异的热稳定性：

深沟槽结构优势：

Trench工艺优化了散热路径，确保器件能够迅速导出热量，减少局部温升，降低过热风险。

广泛的工作温度范围：

SKQ80N03AD支持-55~150℃的工作温度范围，满足多种极端环境需求，是高稳定性应用的不二之选。

结语

时科SKQ80N03AD N-MOS以其低导通电阻、高耐压、高效率等特点，成为工程师在多种应用场景中的首选。无论是在电池管理、电源转换，还是电机驱动领域，SKQ80N03AD都能以卓越的性能助力设备实现高效能和高可靠性。选择SKQ80N03AD，意味着选择了效率、安全与创新并存的高性能解决方案。

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目录- SJ MOSFET SJ-Multiepi MOSFET VD MOSFET Trench MOSFET DT MOSFET

型号- 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

2020.08.21 - 无锡紫光微 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【应用】5*6小体积封装的N-MOS JMSL040SAGQ用于BMS主回路充放电控制，导通电流达387A

某客户在设计12V BMS时，主回路充放电控制需求两颗低压大电流N-MOS，要求电流要到300A以上并且希望封装尽可能小。本文推荐采用捷捷微电推出的N-MOS JMSL040SAGQ用于BMS，具备导通电流387A，采用5*6小体积封装，满足客户需求。

2023-05-23 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

HMS85N15GA N沟道超级沟槽功率MOSFET

描述- HMS85N15GA是一款采用Super Trench技术的N-Channel Super Trench Power MOSFET，具有低导通和开关损耗、高频率开关和同步整流性能。该器件适用于LED背光和高频开关应用，具备低RDS(ON)、高可靠性等特点。

型号- HMS85N15GA

2024/9/23 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】30V/40A低压N沟道和P沟道互补型功率MOSFETYJG40NP03A，适用于硬开关和高频电路等相关应用

YJG40NP03A是扬杰科技推出的N沟道和P沟道互补型功率MOSFET，采用沟槽型功率低压MOSFET技术，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。

2021-02-07 - 新产品代理服务技术支持采购服务

NCEP028N12LL NCE N沟道超级沟槽II功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET的特性及应用。这种器件采用独特的Super Trench II技术，优化了高频开关性能，具有低导通和切换损耗的特点。适用于高频开关和同步整流。

型号- NCEP028N12LL

2021/05/21 - NCE - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

新电元（Shindengen）240A大电流小尺寸车规MOSFET应用，助力汽车电机设计——世强硬创沙龙2019

描述- 本资料主要介绍了多种MOSFET产品及其模块，包括开发方针、销售方针、低压MOSFET开发路线图、封装开发路线图等。资料中详细阐述了不同封装类型（如LF、FZ、DPAK TO-252等）的特点和应用，以及针对不同市场的成本控制和产品线扩充策略。此外，还介绍了Shindengen电源模块的标准规格和产品阵容，包括转换器、整流部分、制动部分、逆变部分等，以及电机驱动电源模块和电机驱动转换功率模块等。

型号- MG031Y,MG038A,D45JCT120V,MG038B,MG031V,PSS30S92E6,PSS10S72FT,MG047,MG052A,MG030A,PSS05S72FT,MG038C,MG038D,P240FZ4QNKA,MG030J,PSS35S92F6,D100JHT80V,P211FZ4QMKA,PSS20S92F6,MG030X,D70JHB80V,RD003,RD002,D75JFT80V,MG053A,MG053B,MG054,D100JHT120V,MG031MC,MG031MD,D30JCT120V,PSS35S92E6,MG031E,MG031G,D50JCB80V,PSS30S92F6,MG031S,MG005Z,MG031L,D45JCT160V,PSS20S92E6,MG031N

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