【产品】1200V 750mΩ SiC MOSFET IV1Q12750T3 ，高耐压且寄生电容小
瞻芯电子推出的IV1Q12750T3 SiC MOSFET，漏源电压为1200V，导通电阻典型值为750mΩ，采用TO247-3封装，具有高耐压，高工作结温的特性，可用于高压DC/DC变换器。
图 1 实物图
特点
⚫ 高耐压
⚫ 高速、寄生电容小
⚫ 高工作结温
⚫ 快速恢复体二极管
电气特性
表 1
应用
⚫ 光伏逆变器
⚫ UPS 电源
⚫ 高压 DC/DC 变换器
⚫ 开关电源
封装尺寸
图 2
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本文由三年不鸣转载自瞻芯电子，原文标题为:IV1Q12750T3 – 1200V 750mΩ SiC MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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詹德安 Lv6. 高级专家 2021-12-05学习 -
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zwjiang Lv9. 科学家 2021-12-02学习学习 -
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kit Lv7. 资深专家 2021-11-30了解了解
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
IV2Q171R0D7Z–1700V 1000mΩSiC MOSFET
描述- 该资料介绍了InventChip公司的IV2Q171R0D7Z型号1700V 1000mΩ碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用第二代SiC MOSFET技术，具有高压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于光伏、辅助电源、开关电源和智能电表等领域。
型号- IV2Q171R0D7Z
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080T4
IV1Q12050T4–1200V 50mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T4型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T4
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型号- IV1Q12750O3
IV2Q12017T4–1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET的特点、技术规格和应用领域。该器件具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017T4
IV2Q12017BD – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q12017BD型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BD
IV2Q12017BA – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。芯片具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BA
IV1Q12017BAG– 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的IV1Q12017BAG型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12017BAG
IV1Q12750T3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12750T3型号的1200V 750mΩ碳化硅（SiC）MOSFET。该器件具有高阻断电压、高速切换能力、低电容和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750T3
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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