【产品】650V 国产碳化硅肖特基二极管B1D04065KF，具有零反向恢复电流和低至12nC电容电荷
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管B1D04065KF，采用TO-220F-2封装，其反向重复峰值电压高达650V，正向连续电流高达10A（Tc=25℃），耗散功率为30W（Tc=25℃），其反向电流极低，在VR=650V，Tj=25°C条件下，反向电流典型值为1μA，器件结到壳热阻典型值为4.996K/W，工作结温范围宽至-55℃~175℃，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动、功率因数校正等应用领域。产品封装及PIN脚如下图所示：
产品特征
极低反向电流
零反向恢复电流
开关不受温度影响
VF具有正向温度系数
卓越的抗浪涌电流能力
低电容电荷
产品优势
开关损耗几乎为零
通过硅二极管提高了系统效率
提高了功率密度
实现了更高的开关频率
减少了对散热器的需求
所需磁性元件小型化，降低了系统成本
降低了EMI
应用领域
开关电源（SMPS）
不间断电源
电机驱动
功率因数校正
最大额定值
电气参数
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型号- B3D20065H
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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选型表 - 基本半导体 立即选型
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型号- G4S06520BT
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