【产品】高电压增强型硅N沟道MOSFET裸片，导通电阻仅300 mΩ

时间： 2018-11-15 来源：Central

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N沟道MOSFET,增强型硅N沟道MOSFET,增强型硅N沟道MOSFET裸片,CP343V-CXDM1002N

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，Central Semi主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDM）。Central Semiconductor推出的CP343V-CXDM1002N是高电压增强型硅N沟道MOSFET，可以用于高速脉冲放大器和驱动器。

图1：产品图示

CP343V-CXDM1002N增强型硅N沟道MOSFET产品采用裸片包装，裸片大小为55×55MILS，厚度为7.1MILS。CP343V-CXDM1002N漏-源电压V_DS为100V，门-源电压V_GS为20V。其漏极电流（稳态）I_D为2.0A，存储及工作温度范围为-55~+150℃。当V_DD=50V, V_GS=5.0V, I_D=3.5A，R_G=4.7Ω时，t_on仅为32ns，t_off仅为50ns。

当V_GS=V_DS, I_D=250μA时，V_GS最小值为1.5V，最大值为2.5V ，CP343V-CXDM1002N的低阈值电压，专门设计应用于驱动器。CP343V-CXDM1002N具有非常低的R_DS_（ON），当V_GS=10V, I_D=2.0A时，R_DS_（ON）仅为300 mΩ；当V_GS=4.5V, I_D=1.0A时，R_DS_（ON）仅为350 mΩ，开关损耗低，非常适用于脉冲放大器。

图2：产品输出特性图

CP343V-CXDM1002N增强型硅N沟道MOSFET裸片产品特性：

· 低阈值电压V_GS_（th）：1.5V~2.5V

· 低开关损耗R_DS_（ON）：350 mΩ

· V_DS：100V， V_GS：20V

· 存储及工作温度范围：-55~+150℃

· 当V_GS=10V, I_D=2.0A时，R_DS（ON）：300 mΩ

CP343V-CXDM1002N增强型硅N沟道MOSFET裸片产品应用：

· 高速脉冲放大器

· 驱动器

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