【产品】N沟道功率MOSFET JMSH1005AC/E，具有超低漏源导通电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性

时间： 2022-11-18 来源：捷捷微电

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JMSH1005AC和JMSH1005AE是捷捷微电推出的N沟道功率MOSFET，分别采用TO-220-3L和TO-263-3L封装，具有超低漏源导通电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性。在T_A=25℃条件下，其漏源电压为100V，栅源电压为±20V。

产品参数概览

特性

超低漏源导通电阻

低栅极电荷

高电流能力

100%UIS测试，100%R_g测试

应用

电信、工业自动化、CE中的电源管理

DC/DC（BMS，Buck/Boost，PoL）和AC/DC（SR）中的电流开关

电动工具、电动汽车、机器人应用中的电机驱动

绝对最大额定值（@T_A=25℃，除非另有说明）

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