碳化硅市场冰火两重天，瑞之辰如何破局？

时间： 2024-12-30 来源：瑞之辰

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在全球半导体行业的竞争格局中，碳化硅（SiC）市场正经历着前所未有的挑战与机遇。2024年上半年，这一市场的竞争愈发激烈，价格战不断升级。在这样的背景下，深圳市瑞之辰科技有限公司（以下简称“瑞之辰”）凭借其前瞻性的策略和硬核实力的碳化硅功率器件产品，正积极探索破局之道。

碳化硅市场的“冰火”挑战

当前，碳化硅市场被称为“冰火两重天”，正经历着供需失衡的阵痛。“冰”是指在碳化硅晶圆衬底方面，随着中国碳化硅产能的快速扩张，市场上出现了供应过剩的情况，导致碳化硅衬底的主流市场价格迅速下降，市场竞争愈发激烈。

而“火”是指在碳化硅功率器件方面，随着新能源汽车、5G通信、光伏发电等现代工业领域对SiC器件的需求持续增长，市场规模不断扩大。同时碳化硅技术正在快速发展，尤其是在SiC MOSFET领域，中国技术已经对标国际主流水平，并保持快速迭代节奏。这其中较有代表性的就是瑞之辰科技和其产品碳化硅（SiC）功率器件产品。

瑞之辰SiC功率器件的破局

“冰火两重天”反映了碳化硅市场在面临需求放缓、价格下跌等挑战的同时，也存在着巨大的增长潜力和技术创新的机遇。面对市场的变化与挑战，瑞之辰作为碳化硅领域的参与者，必须在这一复杂多变的环境中寻找新的增长点。

瑞之辰通过持续的技术研发，推出了具有差异化竞争优势的产品。瑞之辰的碳化硅 SiC PIM 模块系列，内置16~20颗SiC功率芯片，电压1200~3300V，电流300~1000A，最大额定功率240kW；具有高耐压、高可靠性、低损耗以及可高频、高温操作等优越性能；采用WPM11C的封装外形，提高了温度循环容限；已确认在200℃下工作的高可靠性。

SiC IPM智能功率模块系列，电压650~1200V，功率300~7500W，适合于电机驱动和各种逆变电源；采用新技术取替IGBT IPM应用，可将空调一级能效再节能9%以上，达到特级能效，性能更加安全可靠，在低空无人机上优势明显。

超低内阻SiC MOSFET系列，使用自主研发的框架结构，优势在于具有强大的过流能力（持续电流200A）、耐压能力（3300V），应用中外围走线简单、安装可靠、EMC干扰降低、载片台增大可多芯片封装，降低了成本，简化了电路。

深圳市瑞之辰科技有限公司是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，公司成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列。公司拥有自己的知识产权，拥有几十项发明专利和实用新型专利。

近年来公司研发了SiC 、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、电动汽车等领域。随着全球碳化硅市场的不断发展和变化，瑞之辰的产品力将有助于其在激烈的市场竞争中保持领先地位，实现可持续发展。

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解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

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中电国基南方 - 车规 SBD 芯片晶圆,SIC场效应晶体管,碳化硅结型场效应晶体管,SIC二极管,SIC 顶部散热器件,SIC 智能功率模块,半桥器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET,SIC G4 肖特基二极管,SIC MOS,SIC SBD,G2 SIC MOSFET,碳化硅MOS,SIC SBD 芯片晶圆,SIC JFET,塑封器件,全塑封碳化硅器件,SIC备用电池,三相桥模块,WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B,电网传输,电机控制器,XEV 中的 OBC,储能系统,家用电子设备,高压电源,充电模块,电动汽车,XEV 中的 DC-DC,XEV 中的空压机电机,高速工业开关模式电源,电网输变电,储能,服务器电源,电机驱动,充电设备,车载DCDC,新能源发电,电力电子变压器,PFC 电源,开关模式电源,车载 OBC,充电桩,新能源汽车,太阳能发电,脉冲电源,电动汽车充电设备,逆变器,XEV 中的空压机控制器,光伏升压电路,轨道交通,通信电源,电动汽车快充,SMPS,DC/DC 变换器

2024/7/30 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

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深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。

2023-06-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

NOVUSEM - 碳化硅MOS,SIC SBD,SIC场效应晶体管,SIC二极管,SIC MOSFET,SI IGBT,SIC MOS,NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT,光储能系统,电气,OBC,汽车,仪表,充电桩,充电桩模块,新能源汽车,直流充电,光伏逆变器,光伏,储能

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碳化硅行业浅析

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。

2024-12-28 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

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2024/5/16 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

一文看懂瑞之辰SiC MOSFET相对于IGBT器件的优势

在功率电子领域，相较于传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT），碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐受到业内关注，成为行业的焦点。碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，目前瑞之辰旗下的碳化硅产品线包括SiC PIM大功率模块、SiC IPM智能功率模块和SiC MOSFET—TO247-4PHC器件（直插和贴装两种）。

2024-12-26 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

2024-11-11 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务