台懋半导体MOS管为锂电池保护板 “保驾护航”

时间： 2025-01-07 来源：台懋科技公众号

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1、行业背景

在当今这个科技飞速发展的时代，锂电池已然成为各类电子设备的 “动力心脏”。从我们日常使用的手机、平板电脑，到电动汽车等大型设备，都离不开锂电池的支持。而在保障锂电池安全稳定运行方面，台懋半导体MOS管更是扮演着关键角色。

2、台懋MOS管在锂电池保护板的优势

快速响应与并联工作：

台懋半导体MOS管具备快速响应的特性，并且支持并联工作的模式。

全方位的安全防护与性能优化：

针对过充、过放、过流以及短路等常见异常情况，能及时启动保护机制，极大地降低了安全风险。同时，提升散热性能，有效降低导通电阻，提高了电池的工作效率，延长了电池的使用寿命。

严苛测试铸就高可靠性品质：

台懋半导体MOS管经过 100% UIS测试和 100% Rg测试，为锂电池保护板提供持续、稳定的保护。

广泛环境适应性拓宽应用边界：

台懋半导体MOS管结温范围从-55℃至175℃，无论是在寒冷的户外作业，还是高温的工业生产，都能确保锂电池保护板的稳定。

3、型号推荐

4、电控原理图

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P沟道低压MOS 双P沟道低压MOS N+P沟道低压MOS N沟道低压MOS 双N沟道低压MOS 全桥驱动 MOS 半桥串联驱动 MOS 低压超级沟槽MOS 中压大电流超级沟槽MOS SGT MOS 双N沟道中压大电流超级沟槽MOS P沟道中压大电流MOS 双P沟道中压大电流MOS N+P沟道中压大电流MOS N沟道中压大电流MOS 高压平面MOS 高压超结MOS IGBT单管 Sic(碳化硅)二极管 GaN(氮化镓)FET

虹美功率半导体 - IGBT芯片,GAN(氮化镓)FET,BMS SGT MOS,低压超级沟槽MOS,双N沟道中压大电流超级沟槽MOS,平衡车SGT MOS,全桥驱动MOS,BMS军士MOS,N+P沟道低压MOS场效应管,N沟道中压大电流MOS,双P沟道中压大电流MOS,储能SGT MOS,GAN FET,IGBT,高压MOS管,氮化镓场效应管,双N沟道中压大电流超结沟槽MOS,双P沟道低压MOS,碳化硅二极管,双N沟道低压MOS,双N沟道低压MOS场效应管,中压大电流超级沟槽MOS,电动车SGT MOS,SIC 二极管,单P沟道低压MOS场效应管,SIC(碳化硅)二极管,N+P沟道中压大电流MOS,半桥串联驱动 MOS,全桥驱动 MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,N沟道低压MOS,串联半桥驱动双NMOS,P沟道低压MOS,半桥串联驱动MOS,高压超结MOS,N+P沟道低压MOS,氮化镓 FET,高压平面MOS,P沟道中压大电流MOS,IGBT单管,N+P沟道中压大电流MOS,车规 SIC 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2023/11/6 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

大功率扫地机器人性能升级的优选方案——台懋MOS管TM50G03NF，具备较低导通电阻，IDM可达150A

在大功率扫地机器人的核心部件——直流无刷电机中，MOS管不仅起到了关键的开关作用，还通过PWM调速、过流保护等功能提高了电机的性能和可靠性。台懋科技是一家专注于中低压MOS的公司，其TM50G03NF在三相驱动器有导通电阻较低、高电流承载能力、100%UIS测试、100%Rg测试、结温范围在-55%~175%等优势。

2024-11-27 - 器件选型代理服务技术支持采购服务